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TLE2142M-D

高速高驱动双路运算放大器

TLE2142M-D产品信息:

TLE214x和TLE214xA器件是高性能的内部补偿运算放大器,使用德州仪器互补双极Excalibur工艺制造。该TLE214xA是一个更紧的偏置电压等级的TLE214x。两者都是标准工业产品的引脚兼容升级。

该设计集成了一个输入级,同时达到10.5 nV/的低音频带噪声/100-pF负载是有用的快速驱动器/定位驱动器。在类似的试验条件下,沉降到0.01%的时间为400ns。

尽管在这个高负载水平下,6 MHz带宽下降到1.8 MHz,但器件在电容负载高达10nf时仍然稳定。因此,TLE214x和TLE214xA适用于低下垂的采样保持和长电缆的直接缓冲,包括4毫安到20毫安电流环。

这种特殊的设计还改善了对集成电路固有元件不匹配的不敏感性,最大偏置电压为500µV,典型漂移为1.7µV/°C。最小共模抑制比和电源电压抑制比分别为85 dB和90 dB。

在±2v到±22v范围内,器件性能相对独立于电源电压。输入电压可以在V(CC -) - 0.3到V(CC+) - 1.8 V之间运行,而不会产生反相,尽管可能会有超过低共模输入范围的输入电流流出每个输入。全npn输出级提供了一个近轨到轨的输出摆动V(CC -) - 0.1到V(CC+) - 1v在轻电流负载条件下。由于输出电流在内部受到限制,器件可以维持任一电源的短路,但必须注意确保不超过最大封装功耗。

这两个版本也可以用作比较器。V(CC)(±)的差分输入可以在不损坏设备的情况下进行维护。TTL电源电平的开环传播延迟通常为200 ns。当设备驱动超过推荐的输出摆动极限时,这就很好地表明输出级饱和恢复。

TLE214x和TLE214xA都有各种各样的封装,包括工业标准的8针小轮廓版本和芯片形式的高密度系统应用。C-后缀设备的特点是在0°C到70°C, i -后缀设备在-40°C到105°C, m -后缀设备在全军用温度范围-55°C到125°C。

TLE2142M-D数据手册:

TLE2142M-D引脚功能、电路图:

D

代 表 公 司 江南无线电器材厂 元件种类或用途集成电路 典 型 型 号 公 司 简 介

D/A与A/D转换器

1.D/A转换器原理:将数字信息按二进制数码的 权 转换成相应的模拟信号,然后用运算放大器的求和电路将这些模拟量相加来还原原来的模拟量。

D-1000W

【用 途】 电流型同相放大器【性能 参数】 单排5脚封装。路体积为18cm×8cm×2cm,输出功率1000W,输出内阻设计为0.25Ω。最低负载能力为0.5Ω。。在无信号输入待命时的静态电流仅7mA-15mA,开关效率高达96%,接上±5V~±75V电源,加入信号即可工作。大小模块自身的铝基板厚

D-300W

【用 途】 电流型同相放大器【性能 参数】 单排5脚封装。路体积为12cm×6cm×1.5cm,输出功率300W,输出内阻设计为0.25Ω。最低负载能力为0.5Ω。。在无信号输入待命时的静态电流仅7mA-15mA,开关效率高达96%,接上±5V~±75V电源,加入信号即可工作。大小模块自身的铝基板

D-150W

【用 途】 电流型同相放大器【性能 参数】 单排5脚封装。路体积为12cm×6cm×1.5cm,输出功率150W,输出内阻设计为0.25Ω。最低负载能力为0.5Ω。。在无信号输入待命时的静态电流仅7mA-15mA,开关效率高达96%,接上±5V~±75V电源,加入信号即可工作。大小模块自身的铝基板

D-50W

【用 途】 电流型同相放大器【性能 参数】 单排5脚封装。路体积为12cm×6cm×1.5cm,输出功率50W,输出内阻设计为0.25Ω。最低负载能力为0.5Ω。在无信号输入待命时的静态电流仅7mA-15mA,开关效率高达96%,接上±5V~±75V电源,加入信号即可工作。大小模块自身的铝基板厚度

ICQ2-D

【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 200V 1A Vf=1V Lfsm=50A 【互换 兼容】

2N4092/D

【用 途】 场效应开关/斩波/限幅管 【性能 参数】N沟 40V 2-7mA 0.36W 35/60ns Ron=50Ω 【互换 兼容】

MC33272A-D

【用 途】 【性能 参数】【互换 兼容】

2CK134A-D

【用 途】 开关二极管 【性能 参数】硅 20-50V Vf=1.2V Trr=40ns 【互换 兼容】

相关型号:

TCH20A20 TCH30A15 TCH20A15 TCH10A15 TCH20A10
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