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TLE5012BD E1200

TLE5012BD E1200产品信息:

TLE5012BD 是一款完全冗余 360°角度传感器,可检测磁场的方向。这是通过使用单片成巨磁阻 (iGMR) 元件测量正弦和余弦角分量来实现的。

使用内部自动校准算法在广泛的温度范围和较长的使用期限内确定高精度角度值。

数据通信通过与 SPI 兼容的双向同步串行通信 (SSC) 完成。

绝对角度值和其他值通过 SSC 或脉冲宽度调制 (PWM) 协议传输。也可以读出正弦和余弦原始值。这些原始信号在内部经过数字处理,以计算磁场(磁体)的角度方向。

TLE5012BD 是经过预先校准的传感器。校准参数存储在激光熔丝中。启动时,熔丝的值被写入触发器,在这里可以通过特定于应用的参数来更改这些值。

提供在线诊断功能,以确保可靠的操作。

特征描述

  • 基于巨磁阻(GMR) 的原理
  • 完全冗余设计,有两个传感器 IC 在一个封装中
  • 用于角度测量的集成磁场感应
  • 360°角度测量,带转速计和角速度测量
  • 两个独立的高精度单比特 SD-AD
  • 在输出上使用 15 位绝对角度值表示法(0.01°的分辨率)
  • 在接口上使用 16 位正弦/余弦值表示法
  • 激活自动校准,在使用期限和温度范围内产生最大 1.0°的角度误差
  • 高达 8Mbit/s 的双向 SSC 接口
  • 支持具有诊断功能和状态信息的安全完整性等级 (SIL)
  • 接口:SSC、PWM、增量接口 (IIF)、霍尔开关模式 (HSM)、短 PWM 代码(SPC,基于 SAE J2716 中定义的 SENT 协议)
  • 可以将输出引脚配置(编程或预配置)为推挽或开漏
  • 在开漏配置中,可以使用 SSC 或 SPC 接口在一条线路上实现多个传感器的总线模式操作
  • 0.25 μm CMOS 技术
  • ESD > 4kV (HBM)

潜在应用

基于 TLE5012BD GMR 的双芯片角度传感器专为汽车应用中的角位置传感而设计,例如:

  • 换向电机(例如,在电动助力转向系统 (EPS) 和致动器中使用)
  • 转向角测量
  • 一般角度传感

TLE5012BD E1200数据手册:

TLE5012BD E1200引脚功能、电路图:

英特尔推出首款低端双内核赛扬芯片

基于英特尔公司酷睿微处理器架构的赛扬E1200处理器的时钟频率为1.6GHz,它采用了0.065微米工艺,配置了512KB的二级缓存,采用的是800MHz的前端总线和PC中的其它组件。英特尔公司正在以每台53美元的价格销售这款赛扬E1200处理器。赛扬E1200处理器的上市销售彰显出了双内核处理器的普及程度。赛扬是英特尔公司主流处

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据悉,首款赛扬E1000系列双核处理器为E1200,内核主频为1.6GHz,支持800MHz前端数据总线和512KB二级缓存,批发价为53美元。尽管英特尔将于今年11月进入45纳米时代,但E1200仍采用65纳米制造工艺。但随后,英特尔还将推出两款基于45纳米E4000系列处理器。

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