华强商城 被动器件(电容/电阻/电感) BOM配单 原厂专区 PCB制板 积分兑换
0
首页>IC索引

TLE75080-ESD

TLE75080-ESD产品信息:

TLE75080-ESD 是采用 PG-TSDSO-24-21 封装的八通道高边电源开关,提供嵌入式保护功能。它专门用于控制汽车和工业应用中的继电器和 LED。利用串行外设接口(SPI)控制和诊断设备的负载。对于直接控制和 PWM,在默认情况下有两个输入引脚连接到两个输出。可通过相同的输入引脚(可通过 SPI 编程)控制其他或不同的输出。

特征描述

  • 16 位串行外设接口,用于控制和诊断
  • 循环链能力 SPI,也兼容 8 位 SPI 设备
  • 2 CMOS 兼容并行输入引脚与输入映射功能
  • 压缩能力降至 V(S)= 3.0 V (支持 LV124)
  • 数字电源电压范围与 3.3 V 和 5 V 微控制器兼容
  • 两个独立的电池供电 (VS1, VS2),用于高边通道
  • 极低静态电流(使用 IDLE 引脚)
  • Limp Home模式(使用 IDLE 和 IN 引脚)
  • 环保产品(符合 RoHS)
  • AEC 认证

TLE75080-ESD数据手册:

TLE75080-ESD引脚功能、电路图:

dism++ esd转iso 图文教程-电脑教程

大家应该听说过esddecrypt,这个程序很强大,可以解密微软在线下载的ESD文件。Dism++还可以让微软刻意隐藏的功能重见天日,比如ESD捕获,ESD转WIM等功能。WIM快速挂载以及完整的ESD支持,比如创建ESDESD转WIM,ESD释放等为了填补Dism++ 对加密ESD 支持的不足(感谢皮鞭姐姐与毛利告知解密功能在微软在线安装程序的 WinDlp.dll中

安森美半导体新型ESD抑制器件采用低高度封装

超越便携式产品行业最严格的esd保护标准 µesd双串联二极管为便携式和电池供电应用提供双线保护、优异的esd钳制性能和超低高度封装 2005年8月5日–作为全球领先的分立器件供应商,安森美半导体推出µesd(微型esd)双串联高性能微型封装静电放电(esd)保护二极管。µesd双串联系列产品专为为电压敏感元件提供双线保护而设计,适于需要最小板面积和低高度的应用

国外静电相关标准 ESD standards

国外静电相关标准 ESD standards ESD S1.1:1998—Evaluation, acceptance, and functional testing of wrist straps.ESD STM2.1:1997—Resistance test method for electrostat

与电路的相互影响

;;; 在现代ESD保护电路设计中,ESD与电路FS8205A的相互影响是非常复杂的,也是非常重要的,但又往往被忽略。另外一方面,尽管独立的ESD保护结构在电路中的寄生器件可能引起早期的ESD失效。这些ESD早期失效通常是由内部核心电路的寄生器件所形成的微弱泄放通道所引起的,称为电路对ESD的影响。另一方面,由ESD保护单元引起的不可避免的寄生效应能大大影响电路的性能,这称为ESD对电路的相互影响

安森美针对电压敏感元件推出ESD保护二极管

安森美半导体推出 µESD (微型ESD) 双串联高性能微型封装静电放电(ESD)保护二极管。µESD双串联系列产品专为电压敏感元件提供双线保护而设计,适于需要最小板面积和低高度的应用,如手机、MP3播放器和便携式游戏系统。  这些器件设计采用目前市场上最小的3引脚塑料封装来获取最佳的ESD抑制性能。µESD双串联可在不足一纳秒内钳制30千伏(kV)ESD瞬流(

针对多种有源和无源器件应用的平板电脑设计方案

针对ESD、EMI部分的平板电脑参考设计方案 大联大凯悌集团代理的InnoChips推出基于ESD、EMI等的平板电脑参考设计,并为客户提供多种型号,其中包括相机用并行模式ESD滤波器、相机和液晶显示模块用MIPI/LVDS共模滤波器、HDMI用ESD压敏电阻、USB2.0高速用ESD压敏电阻和EMI屏蔽解决方案等。大联大凯悌集团代理的Comchip(典琦)推出的ESD平板电脑解决方案包括:无卤

静电防护电路的设计

对于大部分工程师来说,ESD是一种挑战,不仅要保护昂贵的电子元件不被ESD损毁,还要保证万一出现ESD事件后系统仍能继续运行。这就需要对ESD冲击时发生了什么做深入的了解,才能设计出正确的ESD保护电路。 我们的手都曾有过静电放电(ESD)的体验,即使只是从地毯上走过然后触摸某些金属部件也会在瞬间释放积累起来的静电。我们许多人都曾抱怨在实验室中使用 导电毯、ESD静电腕带和其它要求来满足工业ESD

ESD失效分析

;;;;ESD失效可能是永久性的,也可能是潜在的。永久性的ESD失效UC3842与由于硅中的局部发热引起的材料损坏有关,可能是因为金属互连失效,也可能是由于CMOS栅介质失效。潜在的ESD失效引起电路性能的退化,影响寿命,详细的机理正在进行研究。ESD失效分析对于设计者改进ESD失效问题,对于找出ESD失效区域,最终来改进ESD设计来说是非常重要的。

版图和工艺的考虑

;;; ESD保护电路对几何尺寸设计是非常敏感的,版图设计ACT364非常重要。许多ESD保护设计虽然经过模拟有良好的ESD能力,但由于版图设计不均匀而导致失效。反之,考虑周到的ESD版图能够大大改进ESD性能。;;; 图2. 42给出了一个优化的多指型ggNMOS结构,它可以得到良好的ESD性能。

电子产品的静电放电测试及相关要求

 从第一节的叙述中我们了解ESD对电子产品的危害,随着电子产品的复杂程度和自动化程度越来越高,电子产品的ESD敏感度也越高,电子产品抵御ESD干扰的能力已经成为电子产品质量好坏的一个重要因素。那么如何来衡量电子产品抗ESD干扰的能力?通过ESD抗扰度试验可以检测这种能力。为此越来越多的产品标准将ESD抗扰度试验作为推荐或强制性内容纳入其中。电子设备的ESD抗扰度试验也作为电

相关型号:

TCH20A20 TCH30A15 TCH20A15 TCH10A15 TCH20A10
TCH10A10 TCH30A06 TCH20A20-11A TCH30A15-11A TCH20A15-11A
TCH10A15-11A TCH20A10-11A TCH10A10-11A TCH30A06-11A TCQ30A06
TCQ30A04 TCQ20A04 TCQ10A04 TCQ20A03L TCQ30A06-11A
按首字母检索