TPIC6A595是一个单片、高电压、大电流功率逻辑8位移位寄存器，设计用于需要相对高负载功率的系统。该装置在输出端包含一个内置的电压钳，用于感应瞬态保护。电源驱动应用包括继电器，螺线管，和其他中电流或高压负载。每个开路漏极DMOS晶体管具有一个独立的斩波限流电路，以防止短路情况下的损坏。

该设备包含一个8位串行进、并行出移位寄存器，它提供一个8位d型存储寄存器。数据传输分别通过移位寄存器时钟(SRCK)和寄存器时钟(RCK)上升沿上的移位寄存器和存储寄存器进行。当移位寄存器清除(SRCLR)\高时，存储寄存器将数据转移到输出缓冲区。当SRCLR\低时，清除输入移位寄存器。当输出enable (G)\保持高位时，输出缓冲区中的所有数据保持低位，所有排水输出关闭。当G\处于低位时，存储寄存器中的数据对输出缓冲区是透明的。串行输出(SER OUT)允许从移位寄存器级联数据到附加设备。

输出是低侧开路漏极DMOS晶体管，输出频率为50 V和350 ma的连续吸收电流能力。当输出缓冲器中的数据低时，dmos -晶体管输出关闭。当数据高时，dmos -晶体管输出具有吸收电流的能力。

电源接地(PGND)和逻辑接地(LGND)端子分开，最大限度地提供系统灵活性。所有PGND端子均为内部连接，每个PGND端子必须与电源系统接地，以减少寄生阻抗。LGND和PGND之间的单点连接必须在外部进行，以减少逻辑电路和负载电路之间的串扰。

TPIC6A595采用热增强双直插式(NE)封装和宽体表面贴装(DW)封装。TPIC6A595的特点是在-40°C到125°C的工作温度范围内工作。