这种功率逻辑8位可寻址锁存器控制开路漏极dmos晶体管输出，并被设计用于数字系统中的通用存储应用。具体的用途包括工作寄存器、串行保持寄存器和解码器或解码器。这是mul -
一种功能设备，能够在8个可寻址锁存器和3到8个解码器或解码器中存储单线数据，具有交流低DMOS输出。

通过控制表上func中枚举的clear (CLR\)和enable (G\)输入，可以选择四种不同的opera on模式。在可寻址闩锁模式中，数据输入(D)终端上的数据被写入到寻址闩锁中。在所有未寻址的dmos -晶体管输出保持其先前状态的情况下，有址的dmos -晶体管输出反转数据输入。在存储器模式下，所有dmos晶体管输出保持在它们以前的状态，不受数据或地址输入的影响。为了消除在锁存器中输入错误数据的可能性，当地址线发生变化时，应将G\高举(inac ve)。在3到8解码或解码器复用模式中，所述编址输出相对于D输入和所有其他输入被反转

输出了。在清除模式下，所有输出都是关闭的，不受地址和数据输入的影响。当数据是低的一个给定的输出，dmos晶体管输出是关的。当数据高时，dmos -晶体管输出具有吸收电流能力。

输出是低侧开路漏极DMOS晶体管，输出频率为50 V和150 ma连续下沉电流能力。每个输出在T(C) = 25°C时提供一个500毫安的典型电流限制。对于附加的器件保护，电流限制随着温度的增加而减小。

TPIC6B259的特点是在-40°C到125°C的工作温度范围内工作。