TPIC6B596是一种单片、高电压、中电流功率8位移位寄存器，设计用于需要相对高负载功率的系统。该装置在输出端包含一个内置的电压钳，用于感应瞬态保护。电源驱动应用包括继电器，螺线管，和其他中电流或高压负载。

该设备包含一个8位串行进、并行出移位寄存器，它提供一个8位d型存储寄存器。数据传输分别通过移位寄存器时钟(SRCK)和寄存器时钟(RCK)上升沿上的移位寄存器和存储寄存器进行。当移位寄存器清除(SRCLR)\高时，存储寄存器将数据转移到输出缓冲区。当SRCLR\是低电平时，设备中的所有寄存器将被清除。当输出enable (G)\保持高位时，输出缓冲区中的所有数据保持低位，所有排水输出关闭。当G\处于低位时，存储寄存器中的数据对输出缓冲区是透明的。当输出缓冲器中的数据低时，dmos -晶体管输出关闭。当数据高时，dmos -晶体管输出具有吸收电流能力。串行输出(SER OUT)被打卡出SRCK下降边缘的设备，为级联应用提供额外的hold me。这将提高应用程序的性能，在这些应用程序中，时钟信号可能是倾斜的，设备不在彼此附近，或系统必须容忍电磁干扰。

输出是低侧开路漏极DMOS晶体管，输出频率为50 V和150 ma连续下沉电流能力。每个输出在T(C) = 25°C时提供一个500毫安的典型电流限制。对于附加的器件保护，电流限制随着温度的增加而减小。

TPIC6B596的特点是工作温度范围为-40°C到125°C。