TPS2310和TPS2311是双通道热插拔控制器，使用外部n通道mosfet作为电源应用中的高端开关。这些设备的特性，如过流保护(OCP)，涌流控制，输出功率状态报告，以及负载瞬态和故障的区分能力，是热插拔应用程序的关键要求。

TPS2310/11设备包含欠压锁定(UVLO)和电源良好(PG)报告，以确保设备在启动时关闭，并在运行时确认输出电压轨道的状态。每个内部电荷泵，能够驱动多个mosfet，提供足够的栅极驱动电压，以充分增强n通道mosfet。电荷泵控制mosfet的上升mes和下降mes (dv/dt)，减少了上/下功率的瞬态。断路器功能结合了感知过流条件的能力和mer功能;这允许设计，如dsp，可能有高峰值电流在电力状态过渡，以忽略瞬态可编程的时期。

DISCH1 DISCH2 -DISCH1和DISCH2应分别连接到与GATE1和GATE2相连的外部n通道MOSFET晶体管的源。当MOSFET晶体管被禁用时，这些引脚放电负载。它们也可作为内部栅极电压钳电路的参考电压连接。

启用或使启用TPS2310是交流电压低。TPS2311的ENABLE是ac - ve-high。当控制器启用时，GATE1和GATE2电压都将上电，以打开外部mosfet。当启用对TPS2310引脚拉高或对TPS2311使能引脚拉低超过50µs, MOSFET的栅极被电流源以控制速率放电，晶体管使输出体电容放电。此外，设备在启用时打开内部调节器PREREG(参见VREG)，在禁用时关闭PREREG，使总供电电流小于5µA。

的错- - - - - -的错是开路漏极过流标志输出。当过流条件在任何一个通道是持续足够长的时间充电MER到0.5 V，两个通道锁存和拉这个引脚低。为了将设备重新打开，要么使能引脚必须被切换，要么输入电源必须被循环。

GATE1 GATE2 -GATE1和GATE2连接到外部n通道MOSFET晶体管的门。当设备启用时，内部电荷泵电路通过为每个引脚提供大约15个µA来将这些引脚拉起。旋转速率取决于GATE1和GATE2端子上的电容。如果需要的话，可以通过在这些引脚和地之间连接电容器来进一步降低回转速率。这些电容器还减少了涌流，并保护设备从虚假过流触发期间上电。电荷泵电路通过外部MOSFET晶体管产生9v - 12v的门到源电压。

三机一体,IN2 -IN1和IN2应连接到驱动分别连接到GATE1和GATE2的外部n通道MOSFET晶体管的电源。TPS2310/TPS2311从IN1获取工作电流，在IN1电源建立之前，两个通道仍然处于禁用状态。IN1通道被构造成支持3-V、5-V或12-V歌剧，而IN2通道被构造成支持3-V或5-V歌剧

issense1, issense2, iset1, iset2 -ISENSE1和ISENSE2，结合ISET1和ISET2，实现了对GATE1和GATE2的过流检测。ISET1和ISET2设置产生过流故障的电流的大小，通过连接到ISET1和ISET2的外部电阻。一个内部电流源从ISET1和ISET2中抽取50µA。有一个从IN1到ISENSE1或从IN2到ISENSE2的传感器电阻，它也连接到外部mosfet的排水口，传感器电阻上的电压反映负载电流。如果ISENSE1被拉至ISET1以下，或者ISENSE2被拉至ISET2以下，则假定存在过流状态。为确保断路器正常工作，V(I(ISENSE1))和V(I(ISET1))不能超过V(I(IN1))。同样，V(I(ISENSE2))和V(I(ISET2))不能超过V(I(IN2))。

PWRGD1 PWRGD2 -PWRGD1和PWRGD2分别表示VSENSE1和VSENSE2存在欠压状态。这些引脚是开路漏极输出，在欠压条件下被拉低。为了减少电压轨上瞬态产生的错误PWRGDx响应，电压检测电路包含了一个20µs的解故障滤波器。当VSENSEx低于参考电压(约1.23 V)时，PWRGDx交流低，表示电源轨电压欠压。当器件被禁用时，PWRGDx可能不能正确地报告功率条件，因为在禁用模式下，PWRGD输出晶体管没有栅驱动功率，或者，换句话说，PWRGD是floa ng。因此，在禁用模式下，PWRGD被拉上其上拉电源轨道。

海洋MER上的电容器设置me，在此期间电源开关在断开前处于过流状态。当电路上的过流保护检测到过流时，电流源被激活，为MER上的电容器充电。一旦MER上的电压达到约0.5 V，断路器锁存器就被设置，电源开关被锁存断开。必须回收电源或必须切换ENABLE引脚以重新启动控制器。在大功率或高温应用中，从MER到地面，建议使用最小50pf的电容，以防止错误触发。

为VREG -VREG是一个内部低压差稳压器的输出，其中IN1是输入。该稳压器用于为设备产生一个小于5.5 V的稳压源。在VREG和地之间应连接一个0.1-µF陶瓷电容器，以帮助抑制噪声。在此配置中，一旦禁用该设备，内部的低压差调节器也将被禁用，这将从内部电路中移除电源，并允许设备置于低静电流模式。在IN1小于5.5 V的应用中，可以将VREG和IN1连接在一起。然而，在这些条件下，禁用该设备并不会将该设备置于低静电流模式，因为内部低压降稳压器被旁路，从而保持内部电路工作。当VREG和IN1连在一起时，如果IN1已经有一个1µF ~ 10µF的旁路电容，则VREG和地之间不需要一个0.1-µF的陶瓷电容。

VSENSE1 VSENSE2 -VSENSE1和VSENSE2可用于检测外部电路的欠压状态。如果VSENSE1检测到电压低于大约1.23 V, PWRGD1被拉低。同样，VSENSE2上低于1.23 V的电压会导致PWRGD2被拉低。