TPS2330和TPS2331是单通道热插拔控制器，使用外部n通道mosfet作为电源应用中的高端开关。这些设备的特性，如过流保护(OCP)，涌流控制，输出功率状态报告，以及负载瞬态和故障的区分能力，是热插拔应用程序的关键要求。

TPS2330/31设备包含欠压锁定(UVLO)和电源良好(PG)报告，以确保设备在启动时关闭，并在运行时确认输出电压轨道的状态。一个内部电荷泵，能够驱动多个mosfet，提供足够的栅极驱动电压，以充分增强n通道mosfet。电荷泵控制mosfet的上升mes和下降mes (dV/dt)，减少了电源上升/下降期间的功率瞬变。断路器功能结合了感知过流条件的能力和mer功能;这允许设计，如dsp，可能有高峰值电流在电力状态过渡，以忽略瞬态可编程的时期。

DISCH -DISCH应连接到与GATE连接的外部n通道MOSFET晶体管的源。当MOSFET晶体管被禁用时，这个引脚放电负载。它们也作为内部栅极电压箝位电路的参考电压连接。

启用或使启用对于TPS2330是交流ve-low。TPS2331的ENABLE是ac - ve-high。当控制器使能时，栅极电压上电，打开外部mosfet。当启用对TPS2330引脚拉高或对TPS2331使能引脚拉低超过50µs, MOSFET的栅极被电流源以控制速率放电，晶体管使输出体电容放电。此外，设备在启用时打开内部调节器PREREG(参见VREG)，在禁用时关闭PREREG，使总供电电流远小于5µA。

的错- - - - - -的错是开路漏极过流标志输出。当过流状态持续足够长时间使MER充电到0.5 V时，设备锁存并拔出的错低。为了重新打开设备，要么使能引脚必须被切换，要么输入电源必须被循环。

门-GATE连接到外部n通道MOSFET晶体管的栅极。当设备启用时，内部电荷泵电路通过采购大约15µA将该引脚拉起。旋转速率取决于GATE终端的电容。如果需要的话，可以通过在引脚和地之间连接电容器来进一步降低回转速率。这些电容器还减少了涌流，并保护设备从虚假的过流触发期间上电。电荷泵电路通过外部MOSFET晶体管产生9 V - 12 V的门到源电压。

在- - - - - -IN应连接到驱动连接到GATE的外部n通道MOSFET晶体管的电源。TPS2330/31从IN中获取工作电流，在建立IN电源之前保持关闭状态。该器件已被构造成支持3-V、5-V或12-V歌剧。

ISENSE ISET -ISENSE结合ISET实现GATE过电流检测。ISET通过连接到ISET的外部电阻设置产生过流故障的电流的大小。一个内部电流源从ISET中抽取50µA。从IN到ISENSE的感知电阻，也连接到外部MOSFET的漏极，感知电阻上的电压反映负载电流。如果ISENSE被拉至ISET以下，则假定存在过流状态。为确保断路器正常工作，V(I(ISENSE))和V(I(ISET))不能超过V(I(IN))。

PWRGD -PWRGD表示VSENSE上存在欠压状态。引脚是开路漏极输出，在欠压条件下被拉低。为了减少电压轨上瞬态产生的错误PWRGD响应，电压检测电路包含了一个20µs的解故障滤波器。当VSENSE低于参考电压(约1.23 V)时，PWRGD是交流低指示电源轨电压欠压条件。当器件被禁用时，PWRGD可能不能正确地报告功率条件，因为在禁用模式下，PWRGD输出晶体管没有栅极驱动功率，或者，换句话说，PWRGD是floa ng。因此，在禁用模式下，PWRGD被拉上其上拉电源轨道。

海洋MER上的电容器设置me，在此期间电源开关在断开前处于过流状态。当电路上的过流保护检测到过流时，电流源被激活，为MER上的电容器充电。一旦MER上的电压达到约0.5 V，断路器锁存器就被设置，电源开关被锁存断开。必须回收电源或必须切换ENABLE引脚以重新启动控制器。在大功率或高温应用中，从MER到地面，建议使用最小50pf的电容，以防止错误触发。

为VREG -VREG是一个内部低压差稳压器的输出，其中IN1是输入。该稳压器用于为设备产生一个小于5.5 V的稳压源。在VREG和地之间应连接一个0.1-µF陶瓷电容器，以帮助抑制噪声。在此配置on, on禁用设备，内部低压差调节器也被禁用，这从内部电路中删除电源，并允许设备被放置在低静电流模式。在IN1小于5.5 V的应用中，可以将VREG和IN1连接在一起。然而，在这些条件下，禁用该设备可能不会将该设备置于低静电流模式，因为内部低压降稳压器被旁路，从而保持内部电路工作。当VREG和IN1连在一起时，如果IN1已经有一个1µF ~ 10µF的旁路电容，则VREG和地之间不需要一个0.1-µF的陶瓷电容。

VSENSE -VSENSE可用于检测外部电路的欠压状态。如果VSENSE检测到电压低于约1.23 V，则PWRGD被拉低。