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TPS28225-Q1 和 TPS28226-Q1 是高速驱动器，此驱动器用于驱动具有自适应死区时间控制的 N-通道互补驱动功率 MOSFET。 这些驱动器针对多种高电流单一相位和多相位 dc 到 dc 转换器中的应用进行了优化。 TPS28225-Q1 是一个提供高效、小尺寸、低电磁干扰 (EMI) 发射的解决方案。
通过 8.8V 栅极驱动电压，14ns 自适应死区时间控制，14ns 广播延迟和 2A 高源电流和 4A 灌电流驱动能力，可实现这一性能。 较低栅极驱动器的 0.4欧姆 阻抗保持功率 MOSFET 的栅极低于它的阀值并确保在 dV/dt 相位结点转换中不会产生击穿电压。 由内部二极管充电的自举电容器允许在半桥配置中使用 N-通道 MOSFET。
TPS28225-Q1 特有一个 3 态 PWM 输入，此输入与采用 3 态输出特性的多相位控制器兼容。 只要此输入停留在 3 态窗口的持闭时间达到 250ns，此驱动器将两个输出都切换至低位。 此关断模式避免了来自反向输出电压的负载。
其它的特性包括欠压闭锁，热关断和双向使能/电源正常信号。 没有 3 态特性控制器的系统可以使用使能/电源正常输入/输出来在关断期间将两个输出保持在低位。
TPS28225-Q1 采用经济型小外型尺寸集成电路 (SOIC) 8 引脚和耐热增强型小尺寸双边扁平无引线 (DFN-8) 封装方式。 此驱动器额定扩展温度范围为 -40°C 至 105°C，绝对最大结温为 105°C。 除了输入欠压闭锁，TPS28226-Q1 的工作方式与 TPS28225-Q1 一样。除非另外注明，否则所有对于 TPS28225-Q1 的参考也适用于 TPS28226-Q1。
【用 途】 高速同步驱动器【性能 参数】采用低成本的8引脚SOICDFN封装与散热增强型3毫米×3毫米8引脚DFN封装两种封装。是针对N通道互补驱动功率MOSFET的4A高速同步驱动器。该款2MHz驱动器简化了大电流单相与多相应用中的电源设计，如电压稳压器模块(VRM)设计、笔记本电脑、带有二次侧同步整流器的隔离式电源以及对效率要求
德州仪器(TI)日前宣布推出一款针对N通道互补驱动功率MOSFET的4A高速同步驱动器TPS28225。TI的TPS28225驱动器以4.5V至8.8V电压控制MOSFET栅极，从而实现了高效率和低电磁干扰(EMI)，在7V至8V电压范围内，每相位电流超过40A时器件效率达到最高。TPS28225实现了1
【用 途】 一般型贴片管【性能 参数】硅 NPN Rb=Rbe=470kΩ 20V 0.03A【互换 兼容】FMQ1
TI 的 TPS28225 驱动器以 4.5V 至 8.8V 电压控制
tlc6c598-q1 与 tlc6c5912-q1 特性与优势： 最高额定电压：tlc6c598-q1 与 tlc6c5912-q1 可在所有输出上实现高达 40v 的最高额定电压。有助于 tlc6c598-q1 为多达 8 串 led 供电，tlc6c5912-q1 为多达 12 串 led 供电，这些 led 串直接与汽车电池相连； 热关断保护：tlc6c598-q1 与 tlc6c591
接通电源，S1=1，使Q1=1，Q1=0，Q1通过R2向C2充电。当R1=1时，FF1复位，Q1=0，Q1=1，C2通过二极管VD2向Q1放电，同时1通过R1向C1充电。当充到CP1为1时，FF1翻转，使Q1=1，Q1=0，C1通过二极管VD1向1放电，Q1通过R2又向C2充电。周而复始产生振荡。
【用 途】 电源控制电路【性能 参数】 采用HTSSOP-38(DAP)封装，降压输出范围0.9V至11V，可选择升压输出：7V/10V/11V，可编程频率和外部同步范围150kHz至600kHz，分开的启动输入(ENA，ENB)，低关断电流Ish 引脚排列图：【互换 兼容】
【用 途】 【性能 参数】【互换 兼容】
PIC74100-Q1是一款降压－升压开关模式调节器。其规定的工作温度范围为-40℃～+125℃。 同时又是一款符合汽车电子标准的DC/DC电源管理IC。
【用 途】 【性能 参数】【互换 兼容】
