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这是一个高速驱动的n通道免费驱动功率mosfet与自适应死区时间控制。该驱动器被优化用于各种大电流一和多相DC-to-DC变换器。这是一种效率高、体积小、电磁干扰低的解决方案。
通过高达栅极驱动电压、14 ns自适应死区时间控制、14 ns传播延迟和大电流2-A源和4-A汇聚驱动能力，该效率得以实现。低栅极驱动器的阻抗保持功率MOSFET的栅极低于其阈值，并确保在高dV/dt相节点跃迁时没有击穿电流。由内部二极管充电的bootstrap电容允许在半桥配置中使用n通道mosfet。
【用 途】 高速同步驱动器【性能 参数】采用低成本的8引脚SOICDFN封装与散热增强型3毫米×3毫米8引脚DFN封装两种封装。是针对N通道互补驱动功率MOSFET的4A高速同步驱动器。该款2MHz驱动器简化了大电流单相与多相应用中的电源设计，如电压稳压器模块(VRM)设计、笔记本电脑、带有二次侧同步整流器的隔离式电源以及对效率要求
德州仪器(TI)日前宣布推出一款针对N通道互补驱动功率MOSFET的4A高速同步驱动器TPS28225。TI的TPS28225驱动器以4.5V至8.8V电压控制MOSFET栅极，从而实现了高效率和低电磁干扰(EMI)，在7V至8V电压范围内，每相位电流超过40A时器件效率达到最高。TPS28225实现了1
TI 的 TPS28225 驱动器以 4.5V 至 8.8V 电压控制
ti 的 tps28225 驱动器以 4.5v 至 8.8v 电压控制 mosfet 栅极，从而实现
