这是一个高速驱动的n通道免费驱动功率mosfet与自适应死区时间控制。该驱动器被优化用于各种大电流一和多相DC-to-DC变换器。这是一种效率高、体积小、电磁干扰低的解决方案。

通过高达栅极驱动电压、14 ns自适应死区时间控制、14 ns传播延迟和大电流2-A源和4-A汇聚驱动能力，该效率得以实现。低栅极驱动器的阻抗保持功率MOSFET的栅极低于其阈值，并确保在高dV/dt相节点跃迁时没有击穿电流。由内部二极管充电的bootstrap电容允许在半桥配置中使用n通道mosfet。