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TPS715A-NM低压降(LDO)稳压器具有高输入电压、低压降、低功耗和小型化封装等优点。使用任何电容(≥0.47的µF)，器件都能稳定运行。高的最大输入电压结合出色的功率功耗能力，使该设备特别适合于工业和自动化应用。
PMOS通元件的功能是作为一个低值电阻。低压跌落电压，通常在负载电流80ma时为670mv，与负载电流成正比。低静态电流(3.2µA)在输出负载电流(0 mA至80 mA)的正常范围内几乎是恒定的。
TPS715A-NM的3毫米× 3毫米封装是高功率耗散的理想选择，2毫米× 2毫米封装是手持和超便携应用的理想选择。3毫米× 3毫米封装也可作为医疗成像应用的非磁c封装。
代 表 公 司 National SEMIconductor 元件种类或用途集成电路 典 型 型 号 公 司 简 介
Altera采用28-nm高性能和28-nm低功耗工艺来满足用户的各种成本、性能和功耗需求Altera公司今天发布面向28-nm系列产品的28-nm工艺技术策略。在曾经发布过的TSMC 28-nm高性能(28HP)工艺技术对高端FPGA系列支持的基础上，Altera进一步采用了TSMC的28-nm低功耗(28LP)工艺技术，用于低成本和中端系列产品。在其28-nm系列产品中采用两种不同的工艺技术，
Duris P 5 的五个彩光版本分别为“深蓝光”（450 nm）、“蓝光”（470 nm）、“真绿光”（528 nm）、“黄光”（590 nm）和“红光”（615 nm 至 625 nm）。
altera的两种28-nm工艺技术策略帮助企业高效的服务于多种应用领域。采用28lp工艺，altera在低成本产品中降低了成本和功耗，以满足对成本和功耗敏感应用的市场需求，例如，汽车和工业等。
65-nm sram是网络应用（包括骨干和边缘路由器、固定和模块化以太网交换机、3g基站和安全路由器）的理想选择。他们还能改善医用成像设备和军用信号处理系统的性能。q
芯片nm是指什么？芯片的nm指的是纳米，是用来衡量半导体制造工艺尺寸的单位。nm代表纳米（nanometer），纳米是长度的单位，相当于一米的十亿分之一。在芯片制造中，nm通常用于描述晶体管和其他微观结构的尺寸。
支持的波长包括1550 nm, 1310 nm, 1060 nm, 980/960 nm, 780 nm, 以及633 nm。波长、连接器和结构均可以用户需求进行调整。
altera的28 nm soc为业界提供了从25k逻辑单元(le)到460k le、密度范围最全面的系列产品。
对于标准管芯（200-350μm2），日本日亚公司报道的最高研究水平，紫光（400 nm）22 mW，其外量子效率为35.5%，蓝光(460 nm) 18.8 mW，其外量子效率为34.9%。美国Cree公司可以提供功率大于15 mW 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mW的紫光发光芯片（395～410 nm），8 mW 绿光
提供清晰，untinted塑料包，今天公布的红外线发射器提供1毫瓦/ SR典型的在20 mA的高辐射强度，比市场上同类器件高出33％，和快速开关时间为15 ns。940纳米的VSMB10940功能GAAIAS多量子阱技术和低正向电压为1.3 V典型值，而850纳米VSMG10850提供GAAIAS的双异质结技术和正向电压为1.4 V。
