TPS735 低压降 (LDO)、低功耗线性稳压器可提供出色的交流性能以及极低的接地电流。可提供高电源抑制比 (PSRR)、低噪声、快速启动以及出色的线路和负载瞬态响应，同时消耗极低的 45µA（典型值）接地电流。

TPS735 器件与陶瓷电容器搭配使用时可保持稳定，并且该器件使用先进的 BiCMOS 制造工艺，能够在输出 500mA 电流时产生 280mV 的典型压降电压。TPS735 器件使用精密电压基准和反馈环路，可在全部负载、线路、过程和温度变化范围内实现 2% 的总体精度 (V(OUT) > 2.2V)。此器件的额定 T(J) = -40°C 至 +125°C，采用薄型 3mm × 3mm SON-8 封装和 2mm × 2mm WSON-6 封装。