该器件采用4.7-µF电容，具有超低静态电流和稳定性能。这种组合以合理的成本提供高性能。

因为PMOS器件表现为一个低值电阻，跌落电压非常低(对于TPS76650来说，输出电流为250 mA时，跌落电压通常为230 mV)，并且与输出电流成正比。此外，由于PMOS通过元件是一个电压驱动的设备，静态电流非常低，与输出负载无关(典型的35µa超过输出电流的全范围，0 mA到250 mA)。这两个关键的规格可以显著提高电池供电系统的使用寿命。这个LDO系列还具有睡眠模式;应用一个TTL高信号在(enable)关闭调节器，使静止电流小于1µA (typ)。

Power good (PG)是一种交流高输出，可用于实现上电复位或低电池指示。

TPS766xx提供1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 2.7 V, 2.8 V, 3.0 V, 3.3 V和5.0 V固定电压版本和一个可调版本(可编程在1.25 V至5.5 V)的范围,输出电压公差是指定为最高3%,负载和温度范围。TPS766xx系列采用8引脚SOIC封装。