该公司的TQP3M9035是一种低成本表面安装封装的高线性、低噪声增益块放大器。LNA是内部匹配的,具有高线性度的优点,同时在广泛的频率范围内提供超低噪声值。这使得该设备可以用于高性能系统的接收链和传输链。该放大器使用高性能的E-pHEMT工艺,仅需要一个外部射频扼流圈和阻塞/旁路电容就可以从一个+5V电源运行。低噪声放大器集成了关闭偏置能力,允许在TDD应用中操作。该设备封装在无铅/绿色/符合rohs行业标准的2x2mm封装。
Frequency Min(GHz) | 0.05 |
Frequency Max(GHz) | 6 |
Gain(dB) | 16.5 |
NF(dB) | 0.65 |
OP1dB(dBm) | 22.5 |
OIP3(dBm) | 37 |
Voltage(V) | 5 |
Current(mA) | 115 |
Package Type | DFN |
Package(mm) | 2 x 2 x 0.85 |
RoHS | Yes |
Lead Free | Yes |
Halogen Free | Yes |
ITAR Restricted | No |
ECCN | 5A991.B |
TriQuint半导体公司推出两款封装式低噪声放大器 (LNA) 增益模块-TQP3M9035和TQP3M9038,可在50 MHz至4 GHz极宽带宽范围内提供经济型的高性能。除了在无线基础设施中实现高性能之外,新的TQP3M9035和TQP3M9038还可用于从中继器和塔
技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司(纳斯达克代码:TQNT),推出两款封装式低噪声放大器 (LNA) 增益模块-TQP3M9035和TQP3M9038,可在50 MHz至4 GHz