0
的TQP7M9106是一个2W 5V高线性驱动放大器在一个标准的4x4mm QFN封装。在0.9 GHz时，TQP7M9106提供20.8 dB增益，超高50 dBm OIP3，以及+33 dBm压缩1dB功率，同时吸取455 mA电流。内部电路允许放大器提供“A级”线性性能和“AB级”效率。TQP7M9106包含附加的专利功能，实现在芯片上，使其区别于市场上的其他产品。放大器包含射频超速驱动保护，使设备非常坚固。内部有源偏置允许放大器在5V电源下工作，但也提供直流过电压保护。这可以保护放大器免受直流电压浪涌和系统中可能出现的高输入射频输入功率水平的影响。片上ESD保护使放大器具有非常稳健的1C级HBM ESD等级。该设备封装在无铅/绿色/符合rohs，行业标准4x4mm QFN表面贴装封装。该设备是理想的3G / 4G小型蜂窝基站，高功率放大器，中继器，国防通信，或任何其他通用无线应用，在50-1500兆赫频率范围要求高线性度。
| Frequency Min(MHz) | 50 |
| Frequency Max(MHz) | 1,500 |
| Gain(dB) | 20.8 |
| OP1dB(dBm) | 33 |
| OIP3(dBm) | 50 |
| NF(dB) | 4.8 |
| Voltage(V) | 5 |
| Current(mA) | 455 |
| RoHS | Yes |
| Lead Free | Yes |
| Halogen Free | Yes |
| ITAR Restricted | No |
| ECCN | 5A991.B |
【用 途】 GaAs射频驱动放大器【性能 参数】 采用24引脚QFN封装，50-1500MHz射频驱动放大器，2W(+33dBm)P1dB射频输出功率、+50dBmOIP3、20dB增益、片上射频输入过载、直流过压和静电放电保护；+5V电源，455mA电流消耗。 引脚内部方框图：
TriQuint半导体公司推出两款采用新封装的1W和2W砷化镓 (GaAs) 射频驱动放大器--- TQP7M9105、TQP7M9106，它们在CDMA、WCDMA和LTE基站或类似应用中能够提供一流的线性度TQP7M9105和TQP7M9106 是不断发展壮大的TriQui
2012年9月6 日 - 技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司(纳斯达克代码：TQNT)，推出两款采用新封装的1W和2W砷化镓 (GaAs) 射频驱动放大器--- TQP7M9105、TQP7M9106
