UCC21222 器件是具有可编程死区时间的隔离式双通道栅极驱动器。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管。

UCC21222 器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。该器件的 5ns 延迟匹配性能允许并联两个输出，能够在重负载条件下将驱动强度提高一倍，而无内部击穿风险。

输入侧通过一个 3.0kV(RMS) 隔离栅与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度 (CM ) 的最小值为 100V/ns。

可通过电阻器编程的死区时间可让您调整系统限制的死区时间，从而提高效率并防止输出重叠。其他保护 特性 包括：当 DIS 设置为高电平时，通过禁用功能同时关闭两路输出；集成的抗尖峰滤波器可抑制短于 5ns 的输入瞬变；以及在输入和输出引脚上对高达 -2V 的尖峰进行 200ns 的负电压处理。所有电源都有 UVLO 保护。