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UCC27210 和 UCC27211 驱动器是基于广受欢迎的 UCC27200 和 UCC27201 MOSFET 驱动器，但性能得到了显著提升。峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至 4A 拉电流和 4A 灌电流，并且上拉和下拉电阻已经被减小至 0.9欧姆，因此可以在 MOSFET 的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率 MOSFET。现在，输入结构能够直接处理 -10 VDC，这提高了稳健耐用性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。这些输入与电源电压无关，并且具有 20V 的最大额定值。
UCC2721x 的开关节点（HS 引脚）最高可处理 -18V 电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。UCC27210（伪 CMOS 输入）和 UCC27211（TTL 输入）已经增加了滞后特性，从而使得到模拟或数字脉宽调制 (PWM) 控制器接口的抗扰度得到了增强。
低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了 2ns 的延迟匹配。
由于在芯片上集成了一个额定电压为 120V 的自举二极管，因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能，可提供对称的导通和关断行为，并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。
两款器件均提供 8 引脚 SOIC (D)、PowerPAD SOIC-8 (DDA)、4mm × 4mm SON-8 (DRM) 和 SON-10 (DPR) 封装。
首款 120 V 启动高侧/低侧 MOSFET 驱动器UCC27210 与 UCC27211 是业界首批 120 V 启动高低侧双通道输出 MOSFET 驱动器，可在解决驱动器输入 -10V 直流电
首款120 V 启动高侧／低侧MOSFET 驱动器 UCC27210 与UCC27211 是业界首批120 V 启动高低侧双通道输出MOSFET 驱动器，可在解决驱动器输入-10 V 直流电(VDC)
ucc27210 与 ucc27211 的主要技术特性： ·业界首批额定 120 v 的 4 a 高低侧驱动器（ttl 与伪 cmos 兼容输入版本），可驱动 n 通道高低侧 fet；·0.9 欧姆上拉及下拉电阻可最大限度降低
首款 120 V 启动高侧／低侧 MOSFET 驱动器 UCC27210 与 UCC27211 是业界首批 120 V 启动高低侧双通道输出 MOSFET 驱动器，可在解决驱动器输入 -10 V
首款120V启动高侧／低侧MOSFET驱动器 UCC27210与UCC27211是业界首批120V启动高低侧双通道输出MOSFET驱动器，可在解决驱动器输入-10V直流电(VDC)抗扰度问题的同时，提供高达
