据外媒报道，近日星一款名为Galaxy Tab E 8.0的新款平板电脑现身FCC，具体型号为SM-T377V。Galaxy Tab E 8.0或将为之前Galaxy Tab 4 8.0的升级版本，该机配备8.0英寸的显示屏，分辨率为1280x800，搭载主频1.2GHz的骁龙410处理器，1.5GB RAM+16GB

据外媒报道，近日星一款名为Galaxy Tab E 8.0的新款平板电脑现身FCC，具体型号为SM-T377V。Galaxy Tab E 8.0或将为之前Galaxy Tab 4 8.0的升级版本，该机配备8.0英寸的显示屏，分辨率为1280x800，搭载主频1.2GHz的骁龙410处理器，1.5GB RAM+16GB

根据国外媒体的最新报道，近日三星一款名为Galaxy Tab E 8.0的新款平板电脑现身FCC，具体型号为SM-T377V，而从得到的配置参数来看，Galaxy Tab E 8.0预计将主打中低端市场据了解，Galaxy Tab E 8.0或将为之前Galaxy Tab 4 8.0的升级版本，该机可能将配备一颗主频为1.2GHz的高通骁龙410四核处理器、分辨率为1280×800的

异步电机作为电动机时，转差率s在0～1之间，但实际上s在0～sm（临界转差率）时， 稳定；s在sm～1之间，不稳定；，s=sm，处于临界状态。

如图所示为将0～20mA电流接收转换为0～2V电压输出的电路。输入电流0～20mA，在100Ω电阻上形成0～2V电压，即V3-V2=0～2V，因而输出电压V0=V3-V2=0～2V。

该电路输出的四个输入电压为V1，V2，V3，V4。这些输入电压的每一个取值范围为0至5V。如果控制电压最大输入为5V（即逻辑1），该单元输出是V1，V2，V3，V4。如果最低控制输入为零，输出是V1，V2，V3，V4。

上一代Galaxy Tab S2拥有8.0和9.7英寸两种版本，而双尺寸版本很有可能在Galaxy Tab S3上得以延续。根据GFXBench上的页面显示，9.7寸版本的平板，代号SM-T819，配备了2048×1536像素显示屏以及

同普通音频OTL电路一样，它是用V2、V3两只晶体管分别供给偏转线圈所需扫描电流iYV的正负两个部分。iYV的规定正方向在此图中是流入偏转线圈中的方向。在V2导通的（t1～t2）半周期内，它的电流i2通过隔直电容C流入线圈，构成iYV的正半部分。此时V3截止，i3=0。电容C被i2充电。当t=t2,iYV=0。在（t2～t3）半周期内V3导通，V2截止，电容C上的电荷

在2012台北国际电脑展上，LSI公司宣布演示其备受赞誉的SandForce® SF-2000闪存存储处理器（FSP），该产品采用Toshiba 19nm以及Intel 20nm NAND 闪存LSI SandForce FSP 可为NAND 闪存固态硬盘（SSD）提供同类最佳

同通俗音频OTL电路一样,它是用V2、V3两只晶体管拜别供给偏转线圈所需扫描电流iYV的┞俘负两个部分。iYV的规定正标的目的在此图中是流入偏转线圈中的标的目的。在V2导通的(t1～t2)半周期内,它的电流i2经由过程隔直电容C流入线圈,构成iYV的┞俘半部分。此时V3截止,i3=0。电容C被i2充电。当t=t2,iYV=0。在(t2～t3)半周期内V3导通,V2截止,电容C上的电荷经由过程V3和线圈放电,电流i3构