【用 途】 高频整流二极管 【性能 参数】硅 75kV 25mA Vf=120V Trr=1us 【互换 兼容】
【用 途】 贴片射频放大管【性能 参数】NPN ≤8V ≤10mA ≤80mW hFE=50~150【互换 兼容】BFP280TW【W28 贴片(BFP280TW)的原厂(中文)资料 数据手册 脚功能参数
【用 途】 贴片射频放大管【性能 参数】NPN ≤8V ≤10mA ≤80mW hFE=50~150【互换 兼容】W28 贴片【BFP280TW的原厂(中文)资料 数据手册 脚功能参数 封装】
产品型号:NCP5504DTRKG输出1典型值(V):3.300输出2典型值(V):Adj输出电流典型值(A):0.25/0.25极性:正压差典型值(V):0.25@0.25A输入电压最大值(V):12
电阻封装与额定功率关系封装Power Rating额定功率(at70℃)L W H T t1 0201 1/32W 0.6±0.10 0.3±0.05 0.25±0.05 0.15±0.10 0.15±0.10 0402 1/16W 1.0±0.10 0.5±0.05 0.30±0.05 0.20±0.10 0.25±0.10 0603 1/10W 1.6±0.10 0.8±0.10
华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司(后简称“华润上华”)宣布已完成0.25微米ScalableBCD工艺平台开发,其更低成本和更高的可移植性可满足客户多样化的产品设计需求,进一步提高了华润上华华润上华的0.25微米ScalableBCD工艺平台为0.5微米前段制程与0.25微米后段制程,由之前0.25微米24VBCD工艺平台延伸而来,核心器件工作电压
美国欣扬科技(Signia Technologies)展示了以0.25微米RF CMOS工艺开发完成的蓝牙射频芯片SBT5010,该芯片属于欣扬科技Ulysses蓝牙芯片组系列中的最新产品,它采用台湾积体电路(TSMC)公司的0.25微米RF CMOS工艺制造。
【用 途】 变换器电路 【性能 参数】多功能变换器,模块结构,电源电压=15V,最大功耗=0.3W,乘法=±0.25%,除法=±0.25%,乘方=±0.03%,平方根
【用 途】 变换器电路 【性能 参数】多功能变换器,模块结构,电源电压=15V,最大功耗=0.3W,乘法=±0.25%,除法=±0.25%,乘方=±0.03%,平方根
【用 途】 音频功率放大电路 【性能 参数】单列12脚封装;电源电压VCC=20V;允许功耗Pd=31W;输出噪声=0.25~0.5mV;电源电流=4A;静态电流=30mA;电压增益=44~48dB;谐波失真=0.25%;通道串音=50dB。