【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 30V 1A Vf=1V Lfsm=20A
【用 途】 电压基准二极管 【性能 参数】硅 30V±5% 1W 【互换
【用 途】 电压基准二极管 【性能 参数】硅 30V±5% 50W 【互换
【用 途】 整流二极管 【性能 参数】硅 30V 200A Vf=0.8V Lfsm=4080A
【用 途】 电压基准二极管 【性能 参数】硅 30V±0.5% 10W 【互换
国际整流器公司 (international rectifier,简称ir) 推出一系列获得工业认证的30v to-220 hexfet功率mosfet,为不间断电源 (ups) 逆变器、低压电动工具、
【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 30V 1.5A Vf=1V
(nasdaq: nxpi)今天发布了nextpower系列首款30v power-so8 mosfet,拥有业界最低rdson,4.5v时仅为1.4mω。
家庭扩展到包括如应用的高性能计算和通信20-30v设备。家庭是标题的irl6283m 20VDirectFET?具有通态电阻极低(RDS(上))。
NexFET功率MOSFET已被包括在网络中的负载点同步降压,电信和计算机系统设计的CSD17551Q3A的电源转换applications.Applications的损失降到最低。它是控制FET的应用进行了优化。