半桥栅极驱动器 EiceDRIVER WCDSC006 尤为适于驱动半桥逆变器配置中的高边及低边 MOSFET，特别是在智能手机的感应无线充电技术中。

栅极驱动器输入端兼容 TTL （晶体管－晶体管逻辑），可耐受高达 7V 的输入电压，无需考虑 V(DD )电压。尽管高边与低边功率器件是独立驱动的，但 EiceDRIVER WCDSC006 栅极驱动器确保 5ns（典型值）的死区时间以防击穿。该器件具备 4.0A 灌电流与 2.0A 拉电流的电流能力，并为高输入电压操作提供最大 60V 的自举电压。

EiceDRIVER WCDSC006 栅极驱动器十分适合与 系列产品配套使用，OptiMOS 5功率MOSFET以其高稳健性与高效率实现安全无线充电。

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