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适用于4沟道的TVS二极管矩阵。采用了小型表面安装式封装,最适用于高密度电子仪器。
配合各种用途备有搭载了2个素子的XBP06V4E2HR-G、搭载了4个素子的XBP06V4E4GR-G两种型号的产品。两种型号的放电耐量均为8kV（遵照IEC61000-4-2标准）。
配合各种用途备有搭载了2个素子的XBP06V4E2HR-G、搭载了4个素子的XBP06V4E4GR-G两种型号的产品。两种型号的放电耐量均为8kV（遵照IEC61000-4-2标准）。
配合各种用途备有搭载了2个素子的XBP06V4E2HR-G、搭载了4个素子的XBP06V4E4GR-G两种型号的产品。两种型号的放电耐量均为8kV（遵照IEC61000-4-2标准）。
配合各种用途备有搭载了2个素子的XBP06V4E2HR-G、搭载了4个素子的XBP06V4E4GR-G两种型号的产品。两种型号的放电耐量均为8kV（遵照IEC61000-4-2标准）。
配合各种用途备有搭载了2个素子的XBP06V4E2HR-G、搭载了4个素子的XBP06V4E4GR-G两种型号的产品。两种型号的放电耐量均为8kV（遵照IEC61000-4-2标准）。
