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Vishay的SiZF4800LDT双n通道80 V MOSFET提高了功率密度和效率,同时增强了热性能。
onsemi的NVHL n通道EliteSiC MOSFET在微型TO-247-3封装中提供闪电般的快速转换和卓越的可靠性。
onsemi NTBLS0D08X适合追求MOSFET性能的工程师。它提供了优越的效率和提高开关特性。
欧姆龙的G3VM-63BR/63ER(TR05) MOSFET继电器专为工业和通信设备设计。
本应用说明描述了一种保护n沟道功率MOSFET免受低电压和高电压影响的电路。它包括一个高侧开关驱动IC和快速响应,3晶体管,过压检测器。
栅极驱动器设计用于驱动SiC mosfet和大功率igbt。
我们的无mosfet跟踪和排序控制产品LTC2923, LTC2925和LTC2927与DC/DC转换器和其他允许访问设置输出电压的反馈节点的电源发生器配合得非常好。
同步正激变换器需要一对mosfet来整流电源变压器的输出。同步MOSFET整流器可以自驱动、变压器驱动或由集成MOSFET驱动器驱动。
低开关损耗,低结壳热阻,非常坚固,易于安装。
卓越的性能、可靠性和健壮性。
适用于光伏逆变器、储能系统和高压dc - dc转换器。
采用节省空间的LFPAK56封装,是无刷直流电机控制应用的理想选择。
onsemi的NVBG EliteSiC mosfet以较小的封装尺寸提供高速开关和低电容。
针对快速开关应用优化的1700V M1平面SiC MOSFET。
漏源电压为-30V,栅源电压为±25V, tc =25℃时功耗为3W。
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