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N25Q0x SPI NOR闪存设备,采用65nm NOR技术制造的高性能多输入/输出串行闪存

Alliance Memory N25Q0x SPI NOR闪存设备是采用65nm NOR技术制造的高性能多输入/输出串行闪存。这些存储设备具有就地执行(XIP)功能,高速SPI兼容总线接口和高级写保护机制。

标签: Alliance Memory 闪存 阅读:41 时间:2020-09-24

三星芯片工艺技术或由5nm直接晋级至研制3nm,只为在竞争中击败台积电?

三星芯片工艺技术或由5nm直接晋级至研制3nm,只为在竞争中击败台积电?据国外媒体报道称,三星修改芯片工艺路线图,跳过4nm工艺,由5nm直接提升到3nm的消息。外媒称三星此举,意在获得竞争优势,在技术竞争中击败目前在芯片工艺方面走在行业前列的台积电。

标签: 三星 台积电 芯片 阅读:78 时间:2020-07-03

台积电 5nm 制程良率情况如何?

业内人士透露,台积电 5nm 的月产目前能到达 8 万片左右,良率近五成,但这远远远无法撑起两大核心客户。

标签: 5纳米 台积电 阅读:63 时间:2019-10-25

三星芯片代工计划曝光 6nm 5nm和4nm接踵而至

去年10月,三星芯片工厂正式开始使用其7LPP(7nm低功耗+)制造工艺生产芯片,此后并未放缓其制造技术的发展。该公司有望在2019年下半年采用其精制的6LPP(6nm低功耗+)技术开始批量生产芯片。

标签: 三星 芯片 阅读:33 时间:2019-08-01

台积电5nm 流片需3亿,仅剩苹果华为尝鲜

台积电首席财务官何丽梅日前表示,台积电5纳米制造工艺预计将于2020年上半年实现量产,这意味着苹果公司的下一代A系列处理器将率先采用5纳米制造工艺。

标签: 5nm 台积电 苹果 阅读:56 时间:2019-07-22

台积电技术路线图发展规划 预计2021年量产的N5P是什么?

6月18日,台积电在上海举办了2019中国技术论坛(TSMC2019 Technology Symposium)。台积电总裁魏家哲介绍了先进工艺的发展规划。

标签: 5nm 台积电 阅读:101 时间:2019-06-19

苹果提前准备 台积电或明年开始生产5nm A系列处理器

据产业链爆料称,苹果正在跟台积电秘密接洽,后者最快会在明年第一季度为苹果生产iPhone所用的基于自家5nm工艺制程的处理器,这也可以看作是为iPhone 12做准备。

标签: 5nm 台积电 苹果 阅读:60 时间:2019-06-17

台积电5nm工艺2020年第一季度实现量产

5月23日,台积电举办技术论坛,今年台积电总产能将以7纳米成长最多,第二代加入EUV的7纳米预计第3季量产,今年7纳米总产能将增加1.5倍,达到100万片约当12吋晶圆。而5纳米一期也已开始装机,预计明年第1季量产。

标签: 5nm 台积电 阅读:33 时间:2019-05-24

英特尔10nm处理器与AMD5nm处理器相碰撞 谁才是最后的赢家?

英特尔在工艺制程上遇到瓶颈已经是条旧闻了,按照官方的说法,今年年底就能见到10nm处理器现身。然而,最新的坏消息来了,桌面端的10nm英特尔处理器,还得再等两年。

标签: AMD 英特尔 阅读:168 时间:2019-04-26

台积电5nm制程将在2020年底前量产,代工份额有望突破新高

当大多数中端机还在使用10nm、12nm制程的芯片时,台积电已经完成了5nm的架构设计,基于EUV极紫外光微影技术,而目前已经进入了试产的阶段。

标签: 5nm 台积电 阅读:48 时间:2019-04-15

瞄准5G 又一次领先 台积电5nm进入试产

近日,台积电宣布旗下5nm制程已进入试产阶段,支持下一世代高阶移动及高效能运算应用产品,目标锁定具备高成长性的 5G 与人工智能市场这一片蓝海。

标签: 5G 5nm 台积电 5g 阅读:33 时间:2019-04-09

起底台积电5nm制程,这是5G时代台积电的敲门砖?

近日,台积电宣布5nm制程已进入试产阶段,剑指5G和人工智能市场。相较于其7nm制程,在ARM Cortex-A72 的核心上能够提供1.8 倍的逻辑密度,速度增快15%,具有优异的SRAM 及类比面积缩减。

标签: 5G 5nm 台积电 5g 阅读:57 时间:2019-04-08

台积电5nm制程蓄势待发 三星望尘莫及

据Digitimes报道,台积电宣布在开放创新平台之下推出5nm设计架构的完整版本,协助客户实现支持下一代高效能运算应用产品的5nm系统单芯片设计,目标锁定拥有广阔发展前景的5G与人工智能(AI)市场。

标签: 5nm 三星 台积电 阅读:58 时间:2019-04-04

在5nm节点上, STT-MRAM与SRAM相比可以为缓存提供节能效果

研究机构IMEC已经发表了一篇论文,该研究表明,在5nm节点上,STT-MRAM与SRAM相比可以为缓存提供节能效果。这种优势比非易失性和较小的空间占用更重要。

标签: 5nm MRAM SRAM 阅读:43 时间:2018-12-19

5nm以后的晶体管选择方向

为了从缩小尺寸的晶体管获得相应的收益,VLSI行业在不断改进晶体管的结构、材料、制造技术以及设计IC的工具。

标签: 5nm 半导体 阅读:44 时间:2018-10-17

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