【台湾微碧】专注mos场效应管研发制造

来源：华强商城发布时间：2020-09-15

摘要： 微碧半导体有限公司（台湾微碧VBsemi）台湾微碧是一家专业从事制造MOS场效应管中低压mos（12V~250V）、高压 mos（300V~1000V）、超结mos（500V~900V）功率场效应管（MOSFET）,晶圆开发设计（晶圆采

微碧半导体有限公司（台湾微碧VBsemi）

台湾微碧是一家专业从事制造MOS场效应管中低压mos（12V~250V）、高压 mos（300V~1000V）、超结mos（500V~900V）功率场效应管（MOSFET）,晶圆开发设计（晶圆采用台积电8-INCH、封装指定长电科技）、封装测试、销售服务、技术支持为一体的国家高新技术企业，企业研发中心位于中国台湾新竹。

——————〇以下仅为部分推荐料号〇——————

型号	描述	-I-	型号	描述
VBZ3442	N沟道,100V,2A,246mΩ@10V	--	VBZ7001	P沟道,-60V,-0.5A,3Ω@-10V
VBZ84	P沟道,-60V,-0.4A,3.5Ω@-10V	--	VBZA4042	N沟道,40V,13A,6mΩ@10V
VBZA4409	P沟道,-30V,-11A,11mΩ@-10V	--	VBZA4410	N沟道,20V,9A,15mΩ@4.5V
VBZA4412	N沟道,20V,9A,15mΩ@4.5V	--	VBZA4420	P沟道,-30V,-10A,13mΩ@-10V
VBZA4425	P沟道,-30V,-7A,23mΩ@-10V	--	VBZA4430	N沟道,30V,18A,5mΩ@10V
VBZA4800	N沟道,20V,9A,15mΩ@4.5V	--	VBZA4805	P+P沟道,-30V,-7A,35mΩ@-10V
VBZA4850	N沟道,60V,8A,27mΩ@10V	--	VBZA4936	N+N沟道,30V,10A,15mΩ@10V
VBZA4946	N+N沟道,60V,6A,32mΩ@10V	--	VBZA4953A	P+P沟道,-30V,-6A,40mΩ@-10V
VBZA5670	N沟道,60V,7A,30mΩ@10V	--	VBZA6679	P沟道,-30V,-13.5A,9mΩ@-10V
VBZA7240	P沟道,-40V,-11A,13mΩ@-10V	--	VBZA7470	N沟道,40V,10A,14mΩ@10V

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企业以自有的品牌“微碧VBsemi”并以其为核心，积极批量开发，致力服务于中高端市场的终端制造商，整体生产体系严格执行ISO9001国际质量标准，企业拥有20余项专利，软件著作权以及各种荣誉称号，同时还引进多台国外先进设备，含括功率器件的直流参数检测、雪崩能量检测、可靠性实验、系统分析、失效分析等领域，掌握多项场效应管核心制造技术，提供个性化参数调控，为客户量身定制，全方面为客户解决方案的MOSFETs场效应管制造商。

应用领域广泛	微碧半导体的产品应用广泛，涉及到领域包括交通运输、绿色照明、传统工业、电源管理、新能源等领域，微碧半导体专注于场效应管研发，客户受益于我们具有竞争力的价格和可靠的质量。
一体化服务	从创立到现在，微碧半导体真正实现了场效应管一体化的服务链，十多年来，企业历尽风霜雪雨，赢得了广大客户的信赖和支持。