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摘要： 惊喜优势存储物料，库存卖完为止，有需要的欢迎来询价！
| 型号 | 品牌 | 转卖数量 | 含税价格 | DC | 备注 |
| SDINBDA6-32G-XI1 | WESTERN | 6080 | 240 | 25年 | EMMC FLASH芯片,32GB,256Gb,TLC,FBGA153,SMD,TRAY,SDINBDA6-32G-XI1,WESTERN |
| K4F8E3S4HD-GFCL | SAMSUNG | 3840 | 128.4 | 25年 | DDR芯片,LPDDR4,2133MHz,32bit,1GB,8Gb,FBGA-200,SMD,TRAY,K4F8E3S4HD-GFCL,AEC-Q,SAMSUNG |
| K4FBE3D4HB-KFCL | SAMSUNG | 5120 | 576 | 25年 | DDR芯片,LPDDR4,4266MHz,32bit,4GB,32Gb,TFBGA200,SMD,TRAY,K4FBE3D4HB-KFCL,AEC-Q,SAMSUNG |
| MWE3064CH7NX | Metorage | 3040 | 126 | 25年 | EMMC FLASH芯片,64GB,512Gb,MLC,BGA153,SMD,TRAY,MWE3064CH7NX,Metorage |
| W25Q64JVSSBQT | Winbond | 2000 | 14.4 | 25年 | SPI NOR FLASH芯片,8MB,64Mb,SOIC-8(208mil),SMD,TP,W25Q64JVSSBQT,AEC-Q,Winbond |
| GD25Q40ET2GR | GigaDevice | 3000 | 3.6 | 25年 | SPI NOR FLASH芯片,512KB,4Mb,SOP-8(150mil),SMD,TP,GD25Q40ET2GR,AEC-Q,GigaDevice |
| AT24C16C-SSHM-T | Microchip | 971 | 2.04 | 24年 | EEPROM芯片,16Kb,SOIC-8(150mil),SMD,TP,AT24C16C-SSHM-T,Microchip |
| K4UCE3Q4AB-KFCL03V | SAMSUNG | 1280 | 1216.8 | 25年 | DDR芯片,LPDDR4X,4266MHz,64bit,8GB,64Gb,FBGA-200,SMD,TRAY,K4UCE3Q4AB-KFCL03V,AEC-Q,SAMSUNG |
| MWE3032CH7NX | Metorage | 1520 | 288 | 25年 | EMMC FLASH芯片,32GB,256Gb,MLC,V5.1,FBGA-153,SMD,TRAY,MWE3032CH7NX,Metorage |
| K4B4G1646D-BFMA | SAMSUNG | 6720 | 104.4 | 25年 | DDR芯片,LDDR3,1866MHz,16bit,512MB,4Gb,FBGA-96,SMD,TP,K4B4G1646D-BFMA,AEC-Q,Samsung |
| PTE4A0TE-32GA | PHISON | 3040 | 320.4 | 25年 | EMMC FLASH芯片,32GB,256Gb,TLC,BGA153,SMD,TP,PTE4A0TE-32GA,AEC-Q100,PHISON |
| K4F6E3S4HB-KHCL | SAMSUNG | 2560 | 339.6 | 25年 | DDR芯片,LPDDR4,2133MHz,32bit,2GB,16Gb,FBGA200,SMD,TRAY,K4F6E3S4HB-KHCL,AEC-Q,Samsung |
| K4UJE3D4AA-KFCL03V | SAMSUNG | 1280 | 972 | 25年 | DDR芯片,LPDDR4X,4266MHz,32bit,6GB,48Gb,FBGA-200,SMD,TRAY,K4UJE3D4AA-KFCL03V,AEC-Q,SAMSUNG |
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