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COMPANY INTRODUCTION

公司介绍

无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括:12V~200V沟槽型功率MOSFET(N沟道和P沟道)、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)、500V~900V超结功率MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT,相关核心技术已获得多项专利授权,四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定。 公司产品凭借低损耗、高可靠性品质,已成功进入汽车电子、电机驱动、家用电器、消费电子、LED照明、电动车、安防、网络通信等市场领域,获得国内外知名公司的认证。公司利用自身技术优势,与国际知名的8” 晶圆代工厂、封装测试代工厂紧密合作,具备完善的质量管理体系,确保产品的持续优质和稳定供货。 公司是高新技术企业、中国半导体功率器件十强企业(中国半导体协会,2016&2017年),拥有无锡市功率器件工程研究中心、江苏省研究生工作站,注重先进半导体功率器件的研发与产业化,多项研发成果在IEEE、ISPSD等国际期刊/国际会议上发表,并被SCI、EI索引。公司将持续加大研发投入,提升产品竞争力,目标成为具有国际竞争力的半导体功率器件产品与服务供应商。 公司总部位于江苏无锡,设有深圳分公司。公司宗旨是诚信对待、忠诚服务所有客户和合作者,致力于建立合作共赢的长期协作关系。

PRODUCTS CENTER

产品中心

型号图片产品型号品牌封装/批次包装库存量/货期仓库价格操作

SERVICE AREA

主营范围

  • MOSFET
  • IGBT

APPLICATION AREA

应用领域

TECHNIAL SOLUTONTS

技术解决方案

  • 222018-06

    第三代高压超结(Super Junction)MOSFET技术

    基于电荷平衡原理,在全面提升了功率MOSFET的导通特性和开关特性的基础上,结合先进的深槽刻蚀工艺能力,新洁能推出了一系列Super Junction 功率MOSFET产品,已广泛应用于光伏逆变、大功率电源、LED照明、手机充电器、笔记本适配器等领域。

  • 222018-06

    第二代高压超结(Super Juntion)MOSFET技术

    采用先进的耐压原理和优化的设计结构,全新700~900V SJ-MOS Ⅱ系列产品为系统应用提供充足的耐压余量,简化系统设计难度,提高系统可靠性,满足客户对高耐压、低导通电阻和高效率超结MOSFET的需求。

  • 222018-06

    Super Trench MOSFET 中压产品系列简介

    Super Trench MOSFET系列产品采用了具有电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽(Shield Gate Deep Trench)技术,全面提升了器件的开关特性和导通特性,同时降低了器件的特征导通电阻(Rsp)和栅极电荷(Qg)。通过采用这一先进技术,最新的75V-150V中压MOSFET产品的FOM(品质因数(Rdson*Qg))比上一代产品降低了45%。新款Super Trench MOSFET的软体二极管性能可以有效降低同步整流中的电压尖峰,实现在AC/DC电源的同步整流中快速开关,同时也适用于大功率电动车控制器、电动工具电源等的应用。

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COMPANY NEWS

公司动态

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