用于评估BD83转换器。

独特的电阻元件图案和激光修整技术。

​ROHM的REFLVBMS001-EVK-001评估板配备了电源IC(降压DC/DC转换器IC)和复位IC(电压检测器IC)，采用独创的Nano Energy 超低电流消耗技术。

IPM集成了栅极驱动器、引导二极管、igbt和飞轮二极管。

集成两种颜色，黄绿和红色，在一个紧凑的3412(1305)封装。

特性VDSS 60V，±15.a ID, 38毫欧低导通电阻(RDS(on))， 14W功耗。

正向电压小，反向电流小，容量小，可靠性高。

罗姆的第四代碳化硅mosfet旨在为苛刻的应用提供无与伦比的效率和性能。

ROHM的BD9S402MUF-CE2 buck DC/DC转换器IC内置MOSFET，用于汽车应用，如信息娱乐和高级驾驶辅助系统。

阴极普通双型低VF二极管与30V反向直流电压在D2PAK或DPAK封装。

高可靠性部件采用动力模式结构设计。

ROHM的AEC-Q101兼容mosfet采用沟槽栅极结构

ROHM半导体公司的BS2103F-E2是一个单片的高低侧栅驱动IC

低VF，低IR，高防静电二极管，适用于手机和各种便携式电子产品。