据韩国媒体报道，SK海力士已经开始向英伟达提供高速HBM3E堆叠内存样品，并且正在积极准备出货。该新闻显示，SK海力正与英伟达联手，共同为下一代高性能计算产品提供更强大的内存解决方案。

SK海力士是韩国著名的半导体厂商之一，该公司在过去几年已经向市场投入了大量资金，目前正在位于忠清北道清州市建设的M15X晶圆厂的项目上投入了约8.6万亿韩元的资金。

今年以来，AI 相关应用需求呈快速增长态势。作为高性能GPU的核心组件，HBM迅速崛起。在DRAM市场寒冬下，HBM价格却暴涨超过5倍，全球AI大客户，包括英伟达、AMD、微软、亚马逊等在内的全球科技巨擘，纷纷排队抢购。

最近，SK海力士在全球范围内首次实现了垂直堆叠12个单品DRAM芯片，这标志着SK海力士的技术实力再一次得到了全球的认可和赞誉。

韩国半导体巨头SK海力士宣布成功开发面向人工智能（AI）领域的新一代高带宽内存产品HBM3E，并计划在明年上半年开始量产。这款高性能DRAM将为AI应用提供更强大的处理能力和数据传输速度。

* 结合并收入10.9829万亿韩元，营业利润1.6556万亿韩元，净利润1.1027万亿韩元 * 由于存储器需求和价格下降，销售额和利润环比下降 * 明年的投资规模将减少至今年的一半以上...

随着全球芯片供应紧张的状况持续，全球两大半导体巨头三星和SK海力士的二季度业绩报告显示，其业绩依旧低迷。两家公司同时宣布，将在未来几个季度内继续减少芯片生产。

7月19日消息，据韩联社（Yonhap）今日引述未具名消息人士的话报导称，面对当前半导体需求转弱的情况，SK海力士董事会已于6月底决定暂缓清州（Cheongju）园区扩产方案，并考虑将2023年的资本支出削减25%至122亿美元。

韩国最大的内存芯片制造商SK海力士最近宣布，全球内存芯片市场的复苏已经开始，尤其是在人工智能领域的需求持续强劲。

* 拥有当前业界最佳性能的 HBM3 DRAM 内存芯片，从开发成功到量产仅用七 个月 * HBM3将与NVIDIA H100 Tensor Core GPU搭配，以实现加速计算（accele...

8月12日消息，据路透社报导，知情人士透漏，就在美国“芯片法案”正式完成立法的之后，韩国存储芯片厂商SK海力士将在美国建设一座先进的芯片封装工厂，并将于2023 年第一季左右破土动工。

8月3日消息，韩国存储芯片制造商SK海力士今日表示，该公司成功研发出全球首款业界最高层数的238层512Gb TLC（Triple Level Cell）4D闪存芯片（NAND）样品，该芯片将于明年上半年实现量产。据悉，SK海力士当天在美国加州举行的2022全球闪存峰会上首次公开该产品。

韩国存储器半导体领导者SK海力士（SK hynix）今天宣布，已经开始量产全球最大容量的24GB LPDDR5X DRAM。该产品将首先应用于一加Ace2 Pro智能手机，为用户提供更快速、更低功耗、更高容量的移动体验。

近日，据市场最新消息，韩国半导体巨头SK海力士预计内存芯片库存将会下降，而平均售价则将在下半年企稳。