在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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100363DC | FAIRCHILD/仙童 | 100363 - Multiplexer, 100K Series, 2-Func, 8 Line Input, 1 Line Output, True Output, ECL, CDIP24 | 1755 | 1 | 中国内地:7-13工作日 中国香港:1-2工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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生命周期 | Obsolete |
传播延迟(tpd) | 2.7ns |
Prop。Delay @ Nom-Sup | 1.8ns |
功能数量 | 2 |
输入次数 | 8 |
输出次数 | 1 |
表面贴装 | NO |
封装代码 | DIP |
输出特性 | OPEN-EMITTER |
系列 | 100K |
逻辑集成电路类型 | MULTIPLEXER |
技术 | ECL |
输出极性 | TRUE |
电源 | -4.5V |
最大电源电流(ICC) | 80mA |
温度等级 | OTHER |
JESD-30 代码 | R-GDIP-T24 |
认证状态 | NotQualified |
JESD-609代码 | e0 |
最高工作温度 | 85°C |
端子数量 | 24 |
封装主体材料 | CERAMIC,GLASS-SEALED |
封装等效代码 | DIP24,.4 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
端子面层 | TINLEAD |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54mm |
端子位置 | DUAL |
座面最大高度 | 5.72mm |
宽度 | 10.16mm |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP,DIP24,.4 |
针数 | 24 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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74AHCT541PW | NEXPERIA | 38035 | 0.925980 |
74HC14D | NEXPERIA | 36890 | 0.402210 |
74AHC1G125GW,125 | NEXPERIA | 23866 | 0.239120 |
74HCT595D,118 | 安世(NEXPERIA) | 22541 | 1.264125 |
74AHC1G08GV | NEXPERIA | 8512 | 0.141450 |
74LVC2G04GV,125 | NEXPERIA | 5301 | 0.486375 |
74LVC1G08GW-Q100,1 | NEXPERIA | 1979 | 0.362625 |
74HC4050D | NEXPERIA | 1448 | 1.314520 |
74HC02D | NEXPERIA | 634 | 0.381300 |
74LVC2G34GV,125 | 安世(NEXPERIA) | 67 | 1.170625 |