在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 11AA160-I/TO | MICROCHIP/微芯 | 16K 2048 X 8 1.8V SERIAL EE, IND | 20900 | 1000 | 中国内地：11-17工作日 |
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| 11AA160-I/TO_R | MICROCHIP/微芯 | 0 | 1000 | 中国内地：11-17工作日 |
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| 11AA161-I/TO | MICROCHIP/微芯 | 16K 2048 X 8 1.8V SERIAL EE IND | 0 | 1000 | 中国内地：8-12工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 存储容量 | 16Kb （2K x 8） |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 写周期时间 - 字，页 | 5ms |
| 存储器接口 | 单线 |
| 基本零件编号 | 11AA160 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 电压 - 电源 | 1.8V ~ 5.5V |
| 技术 | EEPROM |
| 在线目录 | 11AAxxx /11LCxxx UNI O™ Serial EEPROM |
| 安装类型 | 通孔 |
| 包装 | 散装 |
| 时钟频率 | 100kHz |
| 存储器格式 | EEPROM |
| 封装 | TO-92-3 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | 11AA160 |
| 接口类型 | Serial, 2-Wire, I2C |
| 组织 | 2 k x 8 |
| 存储容量 | 16 kbit |
| 数据保留 | 200 Year |
| 包装 | Bulk |
| Part Life Cycle Code | Active |
| Memory Density | 16.384kbit |
| Memory Width | 8 |
| Organization | 2KX8 |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 5V |
| Power Supplies | 2/5V |
| Clock Frequency-Max (fCLK) | 1MHz |
| Memory IC Type | EEPROM |
| Data Retention Time-Min | 200 |
| Endurance | 1000000Write/EraseCycles |
| Number of Functions | 1 |
| Number of Ports | 1 |
| Number of Words Code | 2000 |
| Number of Words | 2.048k |
| Operating Mode | SYNCHRONOUS |
| Output Characteristics | TOTEMPOLE |
| Parallel/Serial | SERIAL |
| Ready/Busy | NO |
| Reverse Pinout | NO |
| Serial Bus Type | 1-WIRE |
| Standby Current-Max | 5µA |
| Supply Current-Max | 5µA |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 5.5V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 1.8V |
| Technology | CMOS |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| Toggle Bit | NO |
| Write Cycle Time-Max (tWC) | 10ms |
| Write Protection | SOFTWARE |
| JESD-30 Code | X-PBCY-T3 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e3 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Screening Level | TS16949 |
| Number of Terminals | 3 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | TO-92 |
| Package Equivalence Code | SIP3,.1,50 |
| Package Shape | UNSPECIFIED |
| Package Style | CYLINDRICAL |
| Surface Mount | NO |
| Terminal Finish | MATTETIN |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE |
| Terminal Pitch | 1.27mm |
| Terminal Position | BOTTOM |
| Source Content uid | 11AA160-I/TO |
| Ihs Manufacturer | MICROCHIPTECHNOLOGYINC |
| Part Package Code | TO-92 |
| Package Description | ROHSCOMPLIANT,PLASTIC,TO-92,3PIN |
| Pin Count | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.32.00.51 |
| Samacsys Manufacturer | Microchip |
| 生命周期 | Active |
| 内存密度 | 16.384kbit |
| 内存宽度 | 8 |
| 组织 | 2KX8 |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5V |
| 电源 | 2/5V |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 1MHz |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 数据保留时间-最小值 | 200 |
| 耐久性 | 1000000Write/EraseCycles |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 字数代码 | 2000 |
| 字数 | 2.048k |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 输出特性 | TOTEMPOLE |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 就绪/忙碌 | NO |
| 反向引出线 | NO |
| 串行总线类型 | 1-WIRE |
| 最大待机电流 | 5µA |
| 最大压摆率 | 5µA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.8V |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 切换位 | NO |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10ms |
| 写保护 | SOFTWARE |
| JESD-30 代码 | X-PBCY-T3 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e3 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 筛选级别 | TS16949 |
| 端子数量 | 3 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TO-92 |
| 封装等效代码 | SIP3,.1,50 |
| 封装形状 | UNSPECIFIED |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | MatteTin(Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 零件包装代码 | TO-92 |
| 包装说明 | ROHSCOMPLIANT,PLASTIC,TO-92,3PIN |
| 针数 | 3 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.51 |
| 交付时间 | [objectObject] |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
| 1843606 | PHOENIX | 756 | 1.928640 |
| 1984031 | PHOENIX | 510 | 3.977820 |
| 1803565 | PHOENIX | 290 | 12.657680 |
| IS42S16800F-7BLI | ISSI | 226 | 19.051200 |
| FN2080-1-06 | SCHAFFNER | 48 | 139.650000 |
| FM24V02A-GTR | CYPRESS | 25 | 24.170760 |
| CY8C4025LQI-S412 | CYPRESS | 10 | 45.276000 |
| FM24C04B-GTR | CYPRESS | 10 | 16.146480 |
| DF50A-4S-1C | HIROSE | 5 | 0.490000 |
