在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1338-18DCGI8 | IDT | 1RTC BASE | 0 | 2500 卷 | 中国内地：10-12工作日 中国香港：8-10工作日 |
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| 1338-18DCGI8 | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY | 0 | 3000 卷 | 中国内地：10-12工作日 中国香港：8-10工作日 |
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| 1338-18DCGI8 | RENESAS/瑞萨 | 0 | 1 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Obsolete |
| RAM (words) | 56 |
| Clock Frequency-Max | 32.768kHz |
| Number of Timers | 1 |
| Surface Mount | YES |
| Supply Voltage-Nom | 1.8V |
| uPs/uCs/Peripheral ICs Type | TIMER,REALTIMECLOCK |
| Technology | CMOS |
| Information Access Method | SERIAL(I2C) |
| Interrupt Capability | N |
| On Chip Data RAM Width | 8 |
| Supply Current-Max | 15µA |
| Supply Voltage-Max | 5.5V |
| Supply Voltage-Min | 1.4V |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| Time-Min | SECONDS |
| Volatile | NO |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G8 |
| JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Number of Terminals | 8 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | SOP |
| Package Equivalence Code | SOP8,.25 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALLOUTLINE |
| Terminal Finish | MATTETIN |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Pitch | 1.27mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Seated Height-Max | 1.75mm |
| Width | 3.9mm |
| Length | 4.9mm |
| Source Content uid | 1338-18DCGI8 |
| Ihs Manufacturer | RENESASELECTRONICSCORP |
| Part Package Code | SOIC |
| Pin Count | 8 |
| Manufacturer Package Code | DCG8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| Date Of Intro | 2020-10-01 |
| Samacsys Manufacturer | RenesasElectronics |
| Package Description | , |
| 生命周期 | Obsolete |
| RAM（字数） | 56 |
| 最大时钟频率 | 32.768kHz |
| 计时器数量 | 1 |
| 表面贴装 | YES |
| 标称供电电压 | 1.8V |
| uPs/uCs/外围集成电路类型 | TIMER,REALTIMECLOCK |
| 技术 | CMOS |
| 信息访问方法 | SERIAL(I2C) |
| 中断能力 | N |
| 片上数据RAM宽度 | 8 |
| 最大压摆率 | 15µA |
| 最大供电电压 | 5.5V |
| 最小供电电压 | 1.4V |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 最短时间 | SECONDS |
| 易失性 | NO |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 端子数量 | 8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 座面最大高度 | 1.75mm |
| 宽度 | 3.9mm |
| 长度 | 4.9mm |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | , |
| 针数 | 8 |
| 制造商包装代码 | DCG8 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| ZL30143GGG2 | MICROCHIP | 2041 | 433.072640 |
| SI53152-A01AGMR | SILICON LABS | 174 | 9.912000 |
| DS3231SN#T&R | MAXIM INTEGRATED | 71 | 15.584800 |
| DS1302Z+T&R | MAXIM INTEGRATED | 58 | 4.093100 |
| MCP7940N-I/P | MICROCHIP TECHNOLOGY | 24 | / |
| M48T35-70PC1 | STMICROELECTRONICS | 19 | 392.903082 |
| 6V31021NLGI | 瑞萨电子 | 10 | 30.240000 |
| 8S89831AKILFT | 瑞萨电子 | 5 | 50.652000 |
| M48T02-70PC1 | STMICROELECTRONICS | 2 | 206.644370 |
| M48T02-70PC1 | STMICROELECTRONICS | 1 | 170.954480 |
