在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1EDC20I12AHXUMA1 | INFINEON/英飞凌 | 1EDC30I12 - Gate Driver | 34904 | 1 | 中国内地：7-13工作日 中国香港：1-2工作日 |
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| 1EDC20I12AH | INFINEON/英飞凌 | 2000 | 1000 盘 | 中国内地：1-2工作日 |
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| 1EDC20I12AH | INFINEON/英飞凌 | 1141 | 1 | 中国内地：4-7工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Active |
| Supply Voltage-Nom | 5V |
| Supply Voltage1-Nom | 15V |
| Turn-off Time | 330ns |
| Turn-on Time | 330ns |
| Interface IC Type | BUFFERORINVERTERBASEDIGBTDRIVER |
| High Side Driver | NO |
| Number of Functions | 1 |
| Supply Voltage-Max | 17V |
| Supply Voltage-Min | 3.1V |
| Supply Voltage1-Max | 35V |
| Supply Voltage1-Min | 13V |
| Surface Mount | YES |
| Temperature Grade | AUTOMOTIVE |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G8 |
| Moisture Sensitivity Level | 3 |
| Operating Temperature-Max | 125°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Number of Terminals | 8 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | SOP |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALLOUTLINE |
| Terminal Finish | NICKELGOLDPALLADIUMSILVER |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Pitch | 1.27mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Length | 7.5mm |
| Seated Height-Max | 2.65mm |
| Width | 6.3mm |
| Ihs Manufacturer | INFINEONTECHNOLOGIESAG |
| Package Description | SOP, |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| 标称供电电压 | 5V |
| 电源电压1-Nom | 15V |
| 断开时间 | 330ns |
| 接通时间 | 330ns |
| 接口集成电路类型 | BUFFERORINVERTERBASEDIGBTDRIVER |
| 高边驱动器 | NO |
| 功能数量 | 1 |
| 最大供电电压 | 17V |
| 最小供电电压 | 3.1V |
| 电源电压1-最大 | 35V |
| 电源电压1-分钟 | 13V |
| 表面贴装 | YES |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 最高工作温度 | 125°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOTSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
| 端子数量 | 8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 长度 | 7.5mm |
| 座面最大高度 | 2.65mm |
| 宽度 | 6.3mm |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 包装说明 | SOP, |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| ULN2003G-S16-R | 友顺(UTC) | 88861 | 0.875250 |
| BA6208G-S08-R | 友顺(UTC) | 39379 | 0.482300 |
| BM60051FV-CE2 | ROHM(罗姆) | 3000 | 27.315200 |
| ULN2803G-D18-T | 友顺(UTC) | 2817 | 1.727642 |
| ULN2003L-D16-T | 友顺(UTC) | 1037 | 1.081125 |
| ACPL-330J-500E | 安华高(AVAGO) | 850 | 46.066447 |
| ACPL-W314-500E | 安华高(AVAGO) | 717 | 11.203136 |
| BP9916B | 晶丰明源(BPS) | 30 | 0.329290 |
| BP2833A | 晶丰明源(BPS) | 10 | 0.693420 |
| BP9918C | 晶丰明源(BPS) | 8 | 0.364130 |
