在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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23A1024T-I/SN | MICROCHIP/微芯 | 23A1024T I/SN | 3100 | 3300 | 中国内地:11-17工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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供应商器件封装 | 8-SOIC |
存储容量 | 1Mb (128K x 8) |
存储器类型 | 易失 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | 有源 |
存储器接口 | SPI - 四 I/O |
基本零件编号 | 23A1024 |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
电压 - 电源 | 1.7V ~ 2.2V |
技术 | SRAM |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 带卷(TR) |
时钟频率 | 20MHz |
存储器格式 | SRAM |
封装 | SOIC-8 |
最大时钟频率 | 20 MHz |
接口类型 | Serial, 4-Wire, SDI, SPI |
组织 | 128 k x 8 |
存储容量 | 1 Mbit |
最大工作温度 | + 85 C |
最小工作温度 | - 40 C |
电源电压-最小 | 1.7 V |
电源电压-最大 | 2.2 V |
包装 | Reel |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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CH340N | WCH | 21494 | 2.093320 |
CH340G | WCH | 18724 | 2.093320 |
CH340B | WCH | 5407 | 2.655000 |
UT3232G-S16-R | 友顺(UTC) | 3156 | 1.750847 |
TEA1062NG-S16-R | 友顺(UTC) | 2277 | 2.844219 |
MAX3430ESA+T | MAXIM/美信 | 1140 | 10.846956 |
MAX13223EEUP+ | MAXIM | 268 | 16.945372 |
SI8642ED-B-ISR | SILICON LABS | 235 | 13.345800 |
MAX9180EXT+T | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS | 102 | 18.698400 |
70V7519S133BFI | RENESAS TECHNOLOGY | 5 | 1502.573345 |