在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 23A512-E/P | MICROCHIP/微芯 | 512K 1.8V SPI SERIAL SQI EXT | 0 | 1000 | 中国内地：8-12工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 8-PDIP |
| 存储容量 | 512Kb （64K x 8） |
| 存储器类型 | 易失 |
| 封装/外壳 | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 存储器接口 | SPI - 四 I/O |
| 基本零件编号 | 23A512 |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C（TA） |
| 电压 - 电源 | 1.7V ~ 2.2V |
| 技术 | SRAM |
| 安装类型 | 通孔 |
| 包装 | 管件 |
| 时钟频率 | 16MHz |
| 存储器格式 | SRAM |
| 封装 | PDIP-8 |
| 电源电压-最大 | 2.2 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 最大时钟频率 | 16 MHz |
| 接口类型 | Serial, 4-Wire, SDI, SPI |
| 电源电压-最小 | 1.7 V |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 组织 | 64 k x 8 |
| 电源电流—最大 | 10 mA |
| 存储容量 | 512 kbit |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 包装 | Tube |
| Part Life Cycle Code | Active |
| Memory Density | 524.288kbit |
| Memory Width | 8 |
| Organization | 64KX8 |
| Clock Frequency-Max (fCLK) | 16MHz |
| Memory IC Type | STANDARDSRAM |
| I/O Type | SEPARATE |
| Number of Functions | 1 |
| Number of Ports | 1 |
| Number of Words Code | 64000 |
| Number of Words | 65.536k |
| Operating Mode | SYNCHRONOUS |
| Output Characteristics | 3-STATE |
| Output Enable | NO |
| Parallel/Serial | SERIAL |
| Standby Current-Max | 12µA |
| Standby Voltage-Min | 1.7V |
| Supply Current-Max | 10µA |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 2.2V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 1.7V |
| Technology | CMOS |
| Temperature Grade | AUTOMOTIVE |
| JESD-30 Code | R-PDIP-T8 |
| JESD-609 Code | e3 |
| Operating Temperature-Max | 125°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Screening Level | TS16949 |
| Number of Terminals | 8 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | DIP |
| Package Equivalence Code | DIP8,.3 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | IN-LINE |
| Surface Mount | NO |
| Terminal Finish | MATTETIN |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE |
| Terminal Pitch | 2.54mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Seated Height-Max | 5.334mm |
| Length | 9.271mm |
| Width | 7.62mm |
| Source Content uid | 23A512-E/P |
| Ihs Manufacturer | MICROCHIPTECHNOLOGYINC |
| Package Description | DIP-8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.32.00.51 |
| Samacsys Manufacturer | Microchip |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
| 1843606 | PHOENIX | 734 | 1.928640 |
| 1984031 | PHOENIX | 390 | 3.977820 |
| 1803565 | PHOENIX | 290 | 12.657680 |
| IS42S16800F-7BLI | ISSI | 226 | 19.051200 |
| FN2080-1-06 | SCHAFFNER | 48 | 158.157900 |
| FM24V02A-GTR | CYPRESS | 25 | 24.170760 |
| CY8C4025LQI-S412 | CYPRESS | 10 | 45.276000 |
| FM24C04B-GTR | CYPRESS | 10 | 16.146480 |
| DF50A-4S-1C | HIROSE | 5 | 0.490000 |
