在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
0
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 24AA02/SN | MICROCHIP/微芯 | 41500 | 10000 | 中国内地：11-22工作日 |
查看价格 | |
| 24AA02-I/SN | MICROCHIP/微芯 | 0 | 100 | 中国内地：11-17工作日 |
查看价格 | |
| 24AA02-I/SN | MCC/美微科 | 0 | 100 管 | 中国内地：10-12工作日 中国香港：8-10工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 存储容量 | 2Kb （256 x 8） |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 写周期时间 - 字，页 | 5ms |
| 存储器接口 | I²C |
| 基本零件编号 | 24AA02 |
| 访问时间 | 900ns |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C（TA） |
| 电压 - 电源 | 1.7V ~ 5.5V |
| 技术 | EEPROM |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 管件 |
| 时钟频率 | 400kHz |
| 存储器格式 | EEPROM |
| 封装 | SOIC-8 |
| 最大时钟频率 | 100 kHz |
| 接口类型 | 2-Wire, I2C |
| 组织 | 256 x 8 |
| 访问时间 | 900 ns |
| 存储容量 | 2 kbit |
| 数据保留 | 200 Year |
| 最大工作温度 | + 70 C |
| 最小工作温度 | 0 C |
| 电源电压-最小 | 1.8 V |
| 电源电压-最大 | 5.5 V |
| 包装 | Tube |
| 生命周期 | Active |
| 内存密度 | 2.048kbit |
| 内存宽度 | 8 |
| 组织 | 256X8 |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5V |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 400kHz |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 数据保留时间-最小值 | 200 |
| 耐久性 | 1000000Write/EraseCycles |
| I2C控制字节 | 1010XXXR |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 字数代码 | 256 |
| 字数 | 256words |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 输出特性 | OPEN-DRAIN |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 编程电压 | 5V |
| 串行总线类型 | I2C |
| 最大待机电流 | 100µA |
| 最大压摆率 | 3µA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5V |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10ms |
| 写保护 | HARDWARE |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 70°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 端子数量 | 8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.23 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 座面最大高度 | 1.75mm |
| 长度 | 4.9mm |
| 宽度 | 3.9mm |
| 包装说明 | 0.150INCH,PLASTIC,SOIC-8 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.51 |
| 交付时间 | [objectObject] |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 针数 | 8 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
超盈智能科技蛰伏存储行业13年，专注于产品封测和嵌入式存储解决方案，强劲的产品筛选能力对产品的来料有着严格的把控，产品稳定性得到高度保证。
根据最新数据显示，今年美国在芯片制造上的投资支出已经超过了过去27年的总和。
当下，存储芯片整体量价齐升。作为半导体行业风向标之一，结合头部厂商最新财报来深度分析，未来存储行业趋势将有何变化？景气市况能否持续？
据知情人士透露，美国官员已放缓向英伟达和AMD等芯片制造商发放许可证，允许其向中东大规模运送人工智能（AI）加速器，同时官员们对该地区AI发展进行国家安全审查。
电子代工ODM行业是消费电子供应链重要组成部分，利润微薄之下行业敏感度异常之高。在当下的时间节点，头部ODM厂商业绩有哪些最新看点？
| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| SP3232EEN-L/TR | EXAR | 856 | 4.105986 |
| ISL81487EIBZ-T | RENESAS | 164 | 3.809064 |
| MAX3295AUT+T | MAXIM | 123 | 18.874800 |
| ST485EBDR | STMICROELECTRONICS | 92 | 12.593560 |
| ST3485EBDR | STMICROELECTRONICS | 35 | 9.187500 |
| ST3485ECDR | STMICROELECTRONICS | 15 | 7.271600 |
| CY8CMBR3108-LQXI | CYPRESS | 7 | 104.585600 |
| MAX3232CSE+ | MAXIM | 2 | 8.918000 |
| KSZ9031RNXIC | MICROCHIP | 1 | 89.128716 |
| ST485BDR | STMICROELECTRONICS | 1 | 11.442480 |
