在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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24AA04H-I/P | MICROCHIP/微芯 | 4K 512 X 8 1.8V SER EE IND 1/2 ARAY WP | 1020 | 10000 | 中国内地:3-5周 |
查看价格 |
规格参数 | |
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供应商器件封装 | 8-PDIP |
存储容量 | 4Kb (256 x 8 x 2) |
存储器类型 | 非易失 |
封装/外壳 | 8-DIP(0.300",7.62mm) |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | 有源 |
写周期时间 - 字,页 | 5ms |
存储器接口 | I²C |
基本零件编号 | 24AA04H |
访问时间 | 900ns |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
电压 - 电源 | 1.7V ~ 5.5V |
技术 | EEPROM |
安装类型 | 通孔 |
包装 | 管件 |
时钟频率 | 400kHz |
存储器格式 | EEPROM |
封装 | PDIP-8 |
最大工作温度 | + 85 C |
最小工作温度 | - 40 C |
最大时钟频率 | 100 kHz |
接口类型 | Serial, 2-Wire, I2C |
组织 | 512 x 8 |
访问时间 | 3500 ns |
电源电流—最大 | 3 mA |
存储容量 | 4 kbit |
数据保留 | 200 Year |
电源电压-最小 | 1.7 V |
电源电压-最大 | 5.5 V |
系列 | 24AA04H |
安装风格 | Through Hole |
包装 | Tube |
Part Life Cycle Code | Active |
Memory Density | 4.096kbit |
Memory Width | 8 |
Organization | 512X8 |
Supply Voltage-Nom (Vsup) | 2.5V |
Power Supplies | 2/5V |
Clock Frequency-Max (fCLK) | 400kHz |
Memory IC Type | EEPROM |
Data Polling | YES |
Data Retention Time-Min | 200 |
Endurance | 1000000Write/EraseCycles |
I2C Control Byte | 1010XXMR |
Number of Functions | 1 |
Number of Ports | 1 |
Number of Words Code | 512 |
Number of Words | 512words |
Operating Mode | SYNCHRONOUS |
Output Characteristics | OPEN-DRAIN |
Page Size | 16words |
Parallel/Serial | SERIAL |
Programming Voltage | 2.5V |
Serial Bus Type | I2C |
Standby Current-Max | 1µA |
Supply Current-Max | 3µA |
Supply Voltage-Max (Vsup) | 5.5V |
Supply Voltage-Min (Vsup) | 1.7V |
Technology | CMOS |
Temperature Grade | INDUSTRIAL |
Write Cycle Time-Max (tWC) | 5ms |
Write Protection | HARDWARE |
JESD-30 Code | R-PDIP-T8 |
Qualification Status | NotQualified |
JESD-609 Code | e3 |
Operating Temperature-Max | 85°C |
Operating Temperature-Min | -40°C |
Number of Terminals | 8 |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Code | DIP |
Package Equivalence Code | DIP8,.3 |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | IN-LINE |
Surface Mount | NO |
Terminal Finish | MATTETIN |
Terminal Form | THROUGH-HOLE |
Terminal Pitch | 2.54mm |
Terminal Position | DUAL |
Seated Height-Max | 5.334mm |
Length | 9.271mm |
Width | 7.62mm |
Source Content uid | 24AA04H-I/P |
Ihs Manufacturer | MICROCHIPTECHNOLOGYINC |
Part Package Code | DIP |
Package Description | DIP-8 |
Pin Count | 8 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8542.32.00.51 |
Samacsys Manufacturer | Microchip |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87268 | 0.497250 |
AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 29185 | 0.324720 |
TL494G-S16-R | UTC | 21674 | 0.617320 |
TL431G-AE3-R | UTC | 12027 | 0.154980 |
TL431BQDBZR,215 | NEXPERIA | 9169 | 0.490000 |
TL431BIDBZR,215 | NEXPERIA | 7797 | 0.400625 |
TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 5933 | 0.666380 |
AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5571 | 0.543500 |
AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3942 | 0.471625 |
AP3012KTR-G1 | DIODES INCORPORATED | 1871 | 0.956325 |