在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 24AA08T-I/MC | MICROCHIP/微芯 | 24AA08T I/MC | 0 | 1000 | 中国内地：11-16工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 8-DFN（2x3） |
| 存储容量 | 8Kb （256 x 8 x 4） |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 封装/外壳 | 8-VFDFN 裸露焊盘 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 写周期时间 - 字，页 | 5ms |
| 存储器接口 | I²C |
| 基本零件编号 | 24AA08 |
| 访问时间 | 900ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 电压 - 电源 | 1.7V ~ 5.5V |
| 技术 | EEPROM |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 带卷（TR） |
| 时钟频率 | 400kHz |
| 存储器格式 | EEPROM |
| 封装 | DFN-8 |
| 最大时钟频率 | 100 kHz |
| 接口类型 | Serial, 2-Wire, I2C |
| 组织 | 1 k x 8 |
| 访问时间 | 900 ns |
| 存储容量 | 8 kbit |
| 数据保留 | 200 Year |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 电源电压-最小 | 1.8 V |
| 电源电压-最大 | 5.5 V |
| 包装 | Cut Tape, Reel |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| CH340N | WCH | 21494 | 2.093320 |
| CH340G | WCH | 18724 | 2.093320 |
| CH340B | WCH | 5407 | 2.655000 |
| UT3232G-S16-R | 友顺(UTC) | 3156 | 1.750847 |
| TEA1062NG-S16-R | 友顺(UTC) | 2277 | 2.844219 |
| MAX3430ESA+T | MAXIM/美信 | 1140 | 10.846956 |
| MAX13223EEUP+ | MAXIM | 268 | 16.945372 |
| SI8642ED-B-ISR | SILICON LABS | 235 | 13.345800 |
| MAX9180EXT+T | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS | 102 | 18.698400 |
| 70V7519S133BFI | RENESAS TECHNOLOGY | 5 | 1502.573345 |
