在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 24C00T-I/SN | MICROCHIP/微芯 | 16byte 128b 5V | 20699 | 3300 | 中国内地：11-22工作日 |
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| 24C00T-E/SN | MICROCHIP/微芯 | 16byte 128b 5V | 12589 | 3300 | 中国内地：11-22工作日 |
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| 24C00T/SN | MICROCHIP/微芯 | 16byte 128b 5V | 0 | 1 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 存储容量 | 128b（16 x 8） |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 写周期时间 - 字，页 | 4ms |
| 存储器接口 | I²C |
| 基本零件编号 | 24C00 |
| 访问时间 | 3500ns |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C（TA） |
| 电压 - 电源 | 4.5V ~ 5.5V |
| 技术 | EEPROM |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 带卷（TR） |
| 时钟频率 | 400kHz |
| 存储器格式 | EEPROM |
| 封装 | SOIC-8 |
| 电源电压-最大 | 5.5 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最大时钟频率 | 400 kHz |
| 接口类型 | Serial, 2-Wire, I2C |
| 电源电压-最小 | 4.5 V |
| 最小工作温度 | 0 C |
| 组织 | 16 x 8 |
| 访问时间 | 4 ms |
| 电源电流—最大 | 2 mA |
| 存储容量 | 128 bit |
| 最大工作温度 | + 70 C |
| 数据保留 | 200 Year |
| 包装 | Cut Tape, Reel |
| Part Life Cycle Code | Active |
| Memory Density | 128bit |
| Memory Width | 8 |
| Organization | 16X8 |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 5V |
| Power Supplies | 5V |
| Clock Frequency-Max (fCLK) | 400kHz |
| Memory IC Type | EEPROM |
| Data Retention Time-Min | 200 |
| Endurance | 1000000Write/EraseCycles |
| I2C Control Byte | 1010XXXR |
| Number of Functions | 1 |
| Number of Ports | 1 |
| Number of Words Code | 16 |
| Number of Words | 16words |
| Operating Mode | SYNCHRONOUS |
| Output Characteristics | OPEN-DRAIN |
| Parallel/Serial | SERIAL |
| Programming Voltage | 5V |
| Serial Bus Type | I2C |
| Standby Current-Max | 1µA |
| Supply Current-Max | 2µA |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 5.5V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 4.5V |
| Technology | CMOS |
| Temperature Grade | COMMERCIAL |
| Write Cycle Time-Max (tWC) | 4ms |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G8 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Operating Temperature-Max | 70°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Screening Level | TS16949 |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Number of Terminals | 8 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | SOP |
| Package Equivalence Code | SOP8,.23 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALLOUTLINE |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | MATTETIN |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Pitch | 1.27mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Seated Height-Max | 1.75mm |
| Length | 4.9mm |
| Width | 3.9mm |
| Source Content uid | 24C00T/SN |
| Ihs Manufacturer | MICROCHIPTECHNOLOGYINC |
| Part Package Code | SOIC |
| Pin Count | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.32.00.51 |
| Samacsys Manufacturer | Microchip |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
| 1984031 | PHOENIX | 390 | 3.977820 |
| 1803565 | PHOENIX | 240 | 12.210800 |
| IS42S16800F-7BLI | ISSI | 226 | 19.051200 |
| 1843606 | PHOENIX | 170 | 1.928640 |
| FN2080-1-06 | SCHAFFNER | 43 | 145.505268 |
| FM24V02A-GTR | CYPRESS | 25 | 24.170760 |
| J42FSC-02V-KX | JST | 12 | 3.616200 |
| CY8C4025LQI-S412 | CYPRESS | 10 | 45.276000 |
| FM24C04B-GTR | CYPRESS | 10 | 16.146480 |
