在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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24FC02T-I/OT | MICROCHIP/微芯 | 24FC02T I/OT | 18000 | 10000 | 中国内地:11-22工作日 |
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24FC02T-I/OT | MICROCHIP/微芯 | 24FC02T I/OT | 3000 | 1 卷 | 中国香港:12-15工作日 |
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24FC02T-I/OT_R | MICROCHIP/微芯 | 0 | 3000 | 中国内地:11-17工作日 |
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规格参数 | |
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封装 | SOT-23-5 |
最大时钟频率 | 1 |
接口类型 | I2C |
数据保留 | 200 |
组织 | 256 |
存储容量 | 2 |
最大工作温度 | + |
电源电压-最小 | 1.7 |
电源电压-最大 | 5.5 |
包装 | Cut |
芯片安装 | Surface Mount |
存储密度 | 2Kbit |
工作温度最高值 | 85°C |
工作温度最小值 | -40°C |
接口 | Serial I2C (2-Wire) |
针脚数 | 5Pins |
电源电压最小值 | 1.7V |
IC 外壳 / 封装 | SOT-23 |
电源电压最大值 | 5.5V |
产品范围 | 2Kbit I2C Serial EEPROM |
记忆配置 | 256 x 8bit |
时钟频率最大值 | 1MHz |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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SP3232EEN-L/TR | EXAR | 856 | 4.105986 |
ISL81487EIBZ-T | RENESAS | 164 | 3.809064 |
MAX3295AUT+T | MAXIM | 123 | 10.976000 |
ST485EBDR | STMICROELECTRONICS | 92 | 12.593560 |
ST3485EBDR | STMICROELECTRONICS | 35 | 9.187500 |
ST3485ECDR | STMICROELECTRONICS | 15 | 7.271600 |
CY8CMBR3108-LQXI | CYPRESS | 7 | 104.585600 |
MAX3232CSE+ | MAXIM | 2 | 8.918000 |
KSZ9031RNXIC | MICROCHIP | 1 | 89.128716 |
ST485BDR | STMICROELECTRONICS | 1 | 11.442480 |