在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 24LC024-I/P | MICROCHIP/微芯 | 256x8 | 21657 | 60 | 中国内地：11-22工作日 |
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| 24LC024H-I/P | MICROCHIP/微芯 | 2K 256 X 8 SERIAL EE IND 1/2 ARRAY WP | 21369 | 60 | 中国内地：11-22工作日 |
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| 24LC024-I/P | MICROCHIP/微芯 | 256x8 | 1500 | 1 管 | 中国香港：12-15工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装类型 | PDIP-8 |
| Supply Voltage-Nom | 2.5V to 5.5V |
| Clock Frequency-Max | 400kHz |
| Memory Density | 2kb |
| Memory Organization | 256 x 8 |
| Write Cycle Time-Max (tWC) | 5ms |
| 供应商器件封装 | 8-PDIP |
| 存储容量 | 2Kb （256 x 8） |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 封装/外壳 | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 不适用 |
| 零件状态 | 有源 |
| 写周期时间 - 字，页 | 5ms |
| 存储器接口 | I²C |
| 基本零件编号 | 24LC024 |
| 访问时间 | 900ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 电压 - 电源 | 2.5V ~ 5.5V |
| 技术 | EEPROM |
| 在线目录 | 24LC024(T), 24AA025(T) and 24LC025(T) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 包装 | 管件 |
| 时钟频率 | 400kHz |
| 存储器格式 | EEPROM |
| 封装 | PDIP-8 |
| 电源电压-最大 | 5.5 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 最大时钟频率 | 400 kHz |
| 系列 | 24LC024 |
| 接口类型 | Serial, 2-Wire, I2C |
| 电源电压-最小 | 2.5 V |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 组织 | 256 x 8 |
| 访问时间 | 900 ns |
| 电源电流—最大 | 5 mA |
| 存储容量 | 2 kbit |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 数据保留 | 200 Year |
| 包装 | Tube |
| 生命周期 | Active |
| 内存密度 | 2.048kbit |
| 内存宽度 | 8 |
| 组织 | 256X8 |
| 电源 | 3/5V |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 400kHz |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 数据保留时间-最小值 | 200 |
| 耐久性 | 1000000Write/EraseCycles |
| I2C控制字节 | 1010DDDR |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 字数代码 | 256 |
| 字数 | 256words |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 输出特性 | OPEN-DRAIN |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 串行总线类型 | I2C |
| 最大待机电流 | 5µA |
| 最大压摆率 | 3µA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.5V |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 5ms |
| 写保护 | HARDWARE |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e3 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 筛选级别 | TS16949 |
| 端子数量 | 8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 座面最大高度 | 5.334mm |
| 长度 | 9.271mm |
| 宽度 | 7.62mm |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.51 |
| 交付时间 | [objectObject] |
| 零件包装代码 | DIP |
| 针数 | 8 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
| 1984031 | PHOENIX | 390 | 3.977820 |
| 1803565 | PHOENIX | 240 | 12.210800 |
| IS42S16800F-7BLI | ISSI | 226 | 19.051200 |
| 1843606 | PHOENIX | 170 | 1.928640 |
| FN2080-1-06 | SCHAFFNER | 43 | 145.505268 |
| FM24V02A-GTR | CYPRESS | 25 | 24.170760 |
| J42FSC-02V-KX | JST | 12 | 3.616200 |
| CY8C4025LQI-S412 | CYPRESS | 10 | 45.276000 |
| FM24C04B-GTR | CYPRESS | 10 | 16.146480 |
