在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 24LC02BHT-E/MNY | MICROCHIP/微芯 | 2K 256 X 8 SERIAL EE 2.5V EXT 1/2 ARRAYWP | 0 | 1000 | 中国内地：8-12工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Active |
| Memory Density | 2.048kbit |
| Memory Width | 8 |
| Organization | 256X8 |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 4.5V |
| Power Supplies | 3/5V |
| Clock Frequency-Max (fCLK) | 400kHz |
| Memory IC Type | EEPROM |
| Data Retention Time-Min | 200 |
| Endurance | 1000000Write/EraseCycles |
| I2C Control Byte | 1010XXXR |
| Number of Functions | 1 |
| Number of Ports | 1 |
| Number of Words Code | 256 |
| Number of Words | 256words |
| Operating Mode | SYNCHRONOUS |
| Output Characteristics | OPEN-DRAIN |
| Parallel/Serial | SERIAL |
| Programming Voltage | 4.5V |
| Serial Bus Type | I2C |
| Standby Current-Max | 1µA |
| Supply Current-Max | 3µA |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 5.5V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 2.5V |
| Technology | CMOS |
| Temperature Grade | AUTOMOTIVE |
| Write Cycle Time-Max (tWC) | 5ms |
| Write Protection | HARDWARE |
| JESD-30 Code | R-PDSO-N8 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e4 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Operating Temperature-Max | 125°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Screening Level | AEC-Q100 |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
| Number of Terminals | 8 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | HVSON |
| Package Equivalence Code | SOLCC8,.11,20 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | Nickel/Palladium/Gold(Ni/Pd/Au) |
| Terminal Form | NOLEAD |
| Terminal Pitch | 500µm |
| Terminal Position | DUAL |
| Seated Height-Max | 800µm |
| Length | 3mm |
| Width | 2mm |
| Source Content uid | 24LC02BHT-E/MNY |
| Ihs Manufacturer | MICROCHIPTECHNOLOGYINC |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.32.00.51 |
| 生命周期 | Active |
| 内存密度 | 2.048kbit |
| 内存宽度 | 8 |
| 组织 | 256X8 |
| 标称供电电压 (Vsup) | 4.5V |
| 电源 | 3/5V |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 400kHz |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 数据保留时间-最小值 | 200 |
| 耐久性 | 1000000Write/EraseCycles |
| I2C控制字节 | 1010XXXR |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 字数代码 | 256 |
| 字数 | 256words |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 输出特性 | OPEN-DRAIN |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 编程电压 | 4.5V |
| 串行总线类型 | I2C |
| 最大待机电流 | 1µA |
| 最大压摆率 | 3µA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.5V |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 5ms |
| 写保护 | HARDWARE |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-N8 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e4 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 125°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 筛选级别 | AEC-Q100 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 端子数量 | 8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | HVSON |
| 封装等效代码 | SOLCC8,.11,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold(Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | NOLEAD |
| 端子节距 | 500µm |
| 端子位置 | DUAL |
| 座面最大高度 | 800µm |
| 长度 | 3mm |
| 宽度 | 2mm |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.51 |
| 交付时间 | [objectObject] |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| DF1B-18DEP-2.5RC | HRS | 5300 | 1.435840 |
| SPS-91T-250S | JST | 4000 | 0.178250 |
| DF14-6S-1.25C | HRS | 3100 | 0.815100 |
| DF1B-7S-2.5R | HRS | 1000 | 0.392000 |
| DF1B-10DES-2.5RC | HRS | 800 | 2.056320 |
| DF1B-22DES-2.5RC | HRS | 700 | 3.094560 |
| DF22-3S-7.92C(28) | HRS | 700 | 0.954180 |
| MT25QL02GCBB8E12-0SIT | MICRON | 520 | 120.960000 |
| DF1B-18DES-2.5RC | HRS | 500 | 2.978080 |
| DF62B-3EP-2.2C | HRS | 300 | 1.403360 |
