在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 24LC02BT-I/ST | MICROCHIP/微芯 | 10000 | 2500 | 中国内地:5-6周 |
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| 24LC02BT-I/ST | MICROCHIP/微芯 | 2500 | 1 卷 | 中国香港:12-15工作日 |
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| 24LC02BT-I/ST | TD/钍地半导体 | 0 | 2500 盘 | 中国内地:2-4工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 存储容量 | 2Kb (256 x 8) |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
| 零件状态 | 有源 |
| 写周期时间 - 字,页 | 5ms |
| 存储器接口 | I²C |
| 基本零件编号 | 24LC02B |
| 访问时间 | 900ns |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C(TA) |
| 电压 - 电源 | 2.5V ~ 5.5V |
| 技术 | EEPROM |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 带卷(TR) |
| 时钟频率 | 400kHz |
| 存储器格式 | EEPROM |
| 封装 | TSSOP-8 |
| 电源电压-最大 | 5.5 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最大时钟频率 | 400 kHz |
| 系列 | 24LC02B |
| 接口类型 | Serial, 2-Wire, I2C |
| 电源电压-最小 | 2.5 V |
| 最小工作温度 | 0 C |
| 组织 | 256 x 8 |
| 访问时间 | 5 ms |
| 电源电流—最大 | 3 mA |
| 存储容量 | 2 kbit |
| 最大工作温度 | + 70 C |
| 数据保留 | 200 Year |
| 包装 | Cut Tape, Reel |
| Part Life Cycle Code | Active |
| Memory Density | 2.048kbit |
| Memory Width | 8 |
| Organization | 256X8 |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 5V |
| Clock Frequency-Max (fCLK) | 400kHz |
| Memory IC Type | EEPROM |
| Data Retention Time-Min | 200 |
| Endurance | 1000000Write/EraseCycles |
| I2C Control Byte | 1010XXXR |
| Number of Functions | 1 |
| Number of Ports | 1 |
| Number of Words Code | 256 |
| Number of Words | 256words |
| Operating Mode | SYNCHRONOUS |
| Output Characteristics | OPEN-DRAIN |
| Parallel/Serial | SERIAL |
| Programming Voltage | 5V |
| Serial Bus Type | I2C |
| Standby Current-Max | 100µA |
| Supply Current-Max | 3µA |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 5.5V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 4.5V |
| Technology | CMOS |
| Temperature Grade | COMMERCIAL |
| Write Cycle Time-Max (tWC) | 5ms |
| Write Protection | HARDWARE |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G8 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Operating Temperature-Max | 70°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
| Number of Terminals | 8 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | TSSOP |
| Package Equivalence Code | TSSOP8,.25 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | MATTETIN |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Pitch | 650µm |
| Terminal Position | DUAL |
| Seated Height-Max | 1.2mm |
| Length | 4.4mm |
| Width | 3mm |
| Source Content uid | 24LC02BT/ST |
| Ihs Manufacturer | MICROCHIPTECHNOLOGYINC |
| Part Package Code | SOIC |
| Package Description | 4.40MM,PLASTIC,TSSOP-8 |
| Pin Count | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.32.00.51 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| DF1B-18DEP-2.5RC | HRS | 5300 | 1.435840 |
| SPS-91T-250S | JST | 4000 | 0.178250 |
| DF14-6S-1.25C | HRS | 3100 | 0.815100 |
| DF1B-7S-2.5R | HRS | 1000 | 0.392000 |
| DF1B-10DES-2.5RC | HRS | 800 | 2.056320 |
| DF1B-22DES-2.5RC | HRS | 700 | 3.094560 |
| DF22-3S-7.92C(28) | HRS | 700 | 0.954180 |
| MT25QL02GCBB8E12-0SIT | MICRON | 520 | 120.960000 |
| DF1B-18DES-2.5RC | HRS | 500 | 2.978080 |
| DF62B-3EP-2.2C | HRS | 300 | 1.403360 |