在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 24LC16BHT-E/MNY | MICROCHIP/微芯 | 24LC16BHT E/MNY | 0 | 1000 | 中国内地：8-12工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 8-TDFN（2x3） |
| 存储容量 | 16Kb （2K x 8） |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 封装/外壳 | 8-WFDFN 裸露焊盘 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 写周期时间 - 字，页 | 5ms |
| 存储器接口 | I²C |
| 基本零件编号 | 24LC16BH |
| 访问时间 | 900ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C（TA） |
| 电压 - 电源 | 2.5V ~ 5.5V |
| 技术 | EEPROM |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 带卷（TR） |
| 时钟频率 | 400kHz |
| 存储器格式 | EEPROM |
| Part Life Cycle Code | Active |
| Memory Density | 16.384kbit |
| Memory Width | 8 |
| Organization | 2KX8 |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 5V |
| Power Supplies | 3/5V |
| Clock Frequency-Max (fCLK) | 400kHz |
| Memory IC Type | EEPROM |
| Data Retention Time-Min | 200 |
| Endurance | 1000000Write/EraseCycles |
| I2C Control Byte | 1010MMMR |
| Number of Functions | 1 |
| Number of Ports | 1 |
| Number of Words Code | 2000 |
| Number of Words | 2.048k |
| Operating Mode | SYNCHRONOUS |
| Output Characteristics | OPEN-DRAIN |
| Parallel/Serial | SERIAL |
| Programming Voltage | 5V |
| Serial Bus Type | I2C |
| Standby Current-Max | 5µA |
| Supply Current-Max | 3µA |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 5.5V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 2.5V |
| Technology | CMOS |
| Temperature Grade | AUTOMOTIVE |
| Write Cycle Time-Max (tWC) | 5ms |
| Write Protection | HARDWARE |
| JESD-30 Code | R-PDSO-N8 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e4 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Operating Temperature-Max | 125°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Screening Level | AEC-Q100 |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
| Number of Terminals | 8 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | HVSON |
| Package Equivalence Code | SOLCC8,.11,20 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALLOUTLINE |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | Nickel/Palladium/Gold(Ni/Pd/Au) |
| Terminal Form | NOLEAD |
| Terminal Pitch | 500µm |
| Terminal Position | DUAL |
| Seated Height-Max | 800µm |
| Length | 3mm |
| Width | 2mm |
| Source Content uid | 24LC16BHT-E/MNY |
| Ihs Manufacturer | MICROCHIPTECHNOLOGYINC |
| Part Package Code | DFN |
| Pin Count | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.32.00.51 |
| Samacsys Manufacturer | Microchip |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| SP3232EEN-L/TR | EXAR | 856 | 4.105986 |
| ISL81487EIBZ-T | RENESAS | 164 | 3.809064 |
| MAX3295AUT+T | MAXIM | 123 | 10.976000 |
| ST485EBDR | STMICROELECTRONICS | 92 | 12.593560 |
| ST3485EBDR | STMICROELECTRONICS | 35 | 9.187500 |
| ST3485ECDR | STMICROELECTRONICS | 15 | 7.271600 |
| CY8CMBR3108-LQXI | CYPRESS | 7 | 104.585600 |
| MAX3232CSE+ | MAXIM | 2 | 8.918000 |
| KSZ9031RNXIC | MICROCHIP | 1 | 89.128716 |
| ST485BDR | STMICROELECTRONICS | 1 | 11.442480 |
