在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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25AA128-I/P | MICROCHIP/微芯 | 128k 16Kx8 1.8V SER EE IND TMP PDIP8 | 720 | 1 管 | 中国香港:12-15工作日 |
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25AA128-I/P_R | MICROCHIP/微芯 | 0 | 60 | 中国内地:3-4周 |
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规格参数 | |
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供应商器件封装 | 8-PDIP |
存储容量 | 128Kb (16K x 8) |
存储器类型 | 非易失 |
封装/外壳 | 8-DIP(0.300",7.62mm) |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | 有源 |
写周期时间 - 字,页 | 5ms |
存储器接口 | SPI |
基本零件编号 | 25AA128 |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
电压 - 电源 | 1.8V ~ 5.5V |
技术 | EEPROM |
在线目录 | 25AA128(T) and 25LC128(T) |
安装类型 | 通孔 |
包装 | 管件 |
时钟频率 | 10MHz |
存储器格式 | EEPROM |
封装 | PDIP-8 |
最大工作温度 | + 85 C |
最小工作温度 | - 40 C |
最大时钟频率 | 10 MHz |
接口类型 | Serial, 4-Wire, SDI, SPI |
组织 | 16 k x 8 |
访问时间 | 160 ns |
电源电流—最大 | 5 mA |
存储容量 | 128 kbit |
数据保留 | 200 Year |
电源电压-最小 | 1.8 V |
电源电压-最大 | 5.5 V |
安装风格 | Through Hole |
包装 | Tube |
芯片安装 | 通孔安装 |
工作温度最高值 | 85°C |
存储密度 | 128Kbit |
工作温度最小值 | -40°C |
针脚数 | 8Pins |
时钟频率最大值 | 10MHz |
记忆配置 | 16K x 8位 |
IC 外壳 / 封装 | DIP |
电源电压最大值 | 5.5V |
电源电压最小值 | 1.8V |
接口 | 串行SPI |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87252 | 0.497250 |
AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 29185 | 0.324720 |
TL494G-S16-R | UTC | 21674 | 0.617320 |
TL431G-AE3-R | UTC | 12027 | 0.154980 |
TL431BQDBZR,215 | NEXPERIA | 9169 | 0.490000 |
TL431BIDBZR,215 | NEXPERIA | 6747 | 0.400625 |
TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 5933 | 0.666380 |
AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5571 | 0.543500 |
AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3942 | 0.471625 |
AP3012KTR-G1 | DIODES INCORPORATED | 1871 | 0.956325 |