在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 25C160-E/P | MICROCHIP/微芯 | 25C160 E/P | 0 | 1 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 8-PDIP |
| 存储容量 | 16Kb (2K x 8) |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 封装/外壳 | 8-DIP(0.300",7.62mm) |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
| 零件状态 | 有源 |
| 写周期时间 - 字,页 | 5ms |
| 存储器接口 | SPI |
| 基本零件编号 | 25C160 |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C(TA) |
| 电压 - 电源 | 4.5V ~ 5.5V |
| 技术 | EEPROM |
| 安装类型 | 通孔 |
| 包装 | 管件 |
| 时钟频率 | 3MHz |
| 存储器格式 | EEPROM |
| 封装 | PDIP-8 |
| 最大时钟频率 | 3 MHz |
| 接口类型 | SPI |
| 组织 | 2 k x 8 |
| 访问时间 | 150 ns |
| 存储容量 | 16 kbit |
| 数据保留 | 200 Year |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 电源电压-最小 | 4.5 V |
| 电源电压-最大 | 5.5 V |
| 包装 | Tube |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| CH340N | WCH | 21494 | 2.093320 |
| CH340G | WCH | 18724 | 2.093320 |
| CH340K | WCH | 12670 | 2.145240 |
| TP75176E-SR | 3PEAK | 6326 | 0.813740 |
| CH340B | WCH | 5407 | 2.655000 |
| CH341T | WCH | 570 | 6.159600 |
| SI8642ED-B-ISR | SILICON LABS | 235 | 13.345800 |
| ENC28J60-I/SO | MICROCHIP | 21 | 36.265214 |
| MCP2551-I/SN | MICROCHIP | 10 | 13.181665 |
| 70V7519S133BFI | RENESAS TECHNOLOGY | 5 | 1502.573345 |