在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 25LC080C-I/P | MICROCHIP/微芯 | 8K 1K X 8 16B PAGE 2.5V SER EE IND | 11570 | 60 | 中国内地:11-17工作日 |
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| 25LC080C-I/P_R | MICROCHIP/微芯 | 0 | 60 | 中国内地:3-4周 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 8-PDIP |
| 存储容量 | 8Kb (1K x 8) |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 封装/外壳 | 8-DIP(0.300",7.62mm) |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
| 零件状态 | 有源 |
| 写周期时间 - 字,页 | 5ms |
| 存储器接口 | SPI |
| 基本零件编号 | 25LC080C |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
| 电压 - 电源 | 2.5V ~ 5.5V |
| 技术 | EEPROM |
| 安装类型 | 通孔 |
| 包装 | 管件 |
| 时钟频率 | 10MHz |
| 存储器格式 | EEPROM |
| 封装 | PDIP-8 |
| 电源电压-最大 | 5.5 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 最大时钟频率 | 10 MHz |
| 接口类型 | SPI |
| 电源电压-最小 | 2.5 V |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 组织 | 1 k x 8 |
| 访问时间 | 50 ns |
| 电源电流—最大 | 5 mA |
| 存储容量 | 8 kbit |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 数据保留 | 200 Year |
| 包装 | Tube |
| Part Life Cycle Code | Active |
| Memory Density | 8.192kbit |
| Memory Width | 8 |
| Organization | 1KX8 |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 5V |
| Power Supplies | 3/5V |
| Clock Frequency-Max (fCLK) | 10MHz |
| Memory IC Type | EEPROM |
| Data Retention Time-Min | 200 |
| Endurance | 1000000Write/EraseCycles |
| Number of Functions | 1 |
| Number of Ports | 1 |
| Number of Words Code | 1000 |
| Number of Words | 1.024k |
| Operating Mode | SYNCHRONOUS |
| Parallel/Serial | SERIAL |
| Programming Voltage | 5V |
| Serial Bus Type | SPI |
| Standby Current-Max | 1µA |
| Supply Current-Max | 5µA |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 5.5V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 2.5V |
| Technology | CMOS |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| Write Cycle Time-Max (tWC) | 5ms |
| Write Protection | HARDWARE/SOFTWARE |
| JESD-30 Code | R-PDIP-T8 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e3 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Screening Level | AEC-Q100 |
| Number of Terminals | 8 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | DIP |
| Package Equivalence Code | DIP8,.3 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | IN-LINE |
| Surface Mount | NO |
| Terminal Finish | MATTETIN |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE |
| Terminal Pitch | 2.54mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Seated Height-Max | 5.334mm |
| Length | 9.271mm |
| Width | 7.62mm |
| Source Content uid | 25LC080C-I/P |
| Ihs Manufacturer | MICROCHIPTECHNOLOGYINC |
| Part Package Code | DIP |
| Pin Count | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.32.00.51 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| DF1B-18DEP-2.5RC | HRS | 5300 | 1.435840 |
| SPS-91T-250S | JST | 4000 | 0.178250 |
| 90HBW02PT | GRAYHILL | 3777 | 19.704506 |
| DF14-6S-1.25C | HRS | 3100 | 0.815100 |
| DF1B-7S-2.5R | HRS | 1000 | 0.392000 |
| DF1B-10DES-2.5RC | HRS | 800 | 2.056320 |
| DF1B-22DES-2.5RC | HRS | 700 | 3.094560 |
| DF22-3S-7.92C(28) | HRS | 700 | 0.954180 |
| DF1B-18DES-2.5RC | HRS | 500 | 2.978080 |
| DF62B-3EP-2.2C | HRS | 300 | 1.403360 |