在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|
| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Memory Density | 262.144kbit |
| Memory Width | 8 |
| Organization | 32KX8 |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 5V |
| Power Supplies | 5V |
| Access Time-Max | 200ns |
| Memory IC Type | UVPROM |
| I/O Type | COMMON |
| Number of Words Code | 32000 |
| Number of Words | 32.768k |
| Output Characteristics | 3-STATE |
| Programming Voltage | 13V |
| Standby Current-Max | 100µA |
| Supply Current-Max | 65µA |
| Technology | CMOS |
| Temperature Grade | MILITARY |
| JESD-30 Code | R-XDIP-T28 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e0 |
| Operating Temperature-Max | 125°C |
| Operating Temperature-Min | -55°C |
| Screening Level | 38535Q/M;38534H;883B |
| Number of Terminals | 28 |
| Package Body Material | CERAMIC |
| Package Code | DIP |
| Package Equivalence Code | DIP28,.6 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | IN-LINE |
| Surface Mount | NO |
| Terminal Finish | Tin/Lead(Sn/Pb) |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE |
| Terminal Pitch | 2.54mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Ihs Manufacturer | MICROCHIPTECHNOLOGYINC |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.32.00.61 |
| Source Content uid | 27C256-20B/XA |
| 生命周期 | Obsolete |
| 内存密度 | 262.144kbit |
| 内存宽度 | 8 |
| 组织 | 32KX8 |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5V |
| 电源 | 5V |
| 最长访问时间 | 200ns |
| 内存集成电路类型 | UVPROM |
| I/O 类型 | COMMON |
| 字数代码 | 32000 |
| 字数 | 32.768k |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 编程电压 | 13V |
| 最大待机电流 | 100µA |
| 最大压摆率 | 65µA |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T28 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最高工作温度 | 125°C |
| 最低工作温度 | -55°C |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 端子数量 | 28 |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP28,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead(Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54mm |
| 端子位置 | DUAL |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.61 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
| 1843606 | PHOENIX | 684 | 1.928640 |
| 1984031 | PHOENIX | 390 | 3.977820 |
| 1803565 | PHOENIX | 290 | 12.657680 |
| IS42S16800F-7BLI | ISSI | 226 | 19.051200 |
| FN2080-1-06 | SCHAFFNER | 48 | 158.157900 |
| FM24V02A-GTR | CYPRESS | 25 | 24.170760 |
| J42FSC-02V-KX | JST | 12 | 3.616200 |
| CY8C4025LQI-S412 | CYPRESS | 10 | 45.276000 |
| FM24C04B-GTR | CYPRESS | 10 | 16.146480 |
