在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 27C512-25B/UC | MICROCHIP/微芯 | 27C512 - 512K (64K x 8) CMOS EPROM | 0 | 1 | 中国内地:8-15工作日 中国香港:7-14工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 生命周期 | Obsolete |
| 内存密度 | 524.288kbit |
| 内存宽度 | 8 |
| 组织 | 64KX8 |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5V |
| 电源 | 5V |
| 最长访问时间 | 250ns |
| 内存集成电路类型 | UVPROM |
| I/O 类型 | COMMON |
| 字数代码 | 64000 |
| 字数 | 65.536k |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 最大待机电流 | 100µA |
| 最大压摆率 | 60µA |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| JESD-30 代码 | R-XQCC-N32 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最高工作温度 | 125°C |
| 最低工作温度 | -55°C |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 端子数量 | 32 |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC32,.45X.55 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIPCARRIER |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead(Sn/Pb) |
| 端子形式 | NOLEAD |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 包装说明 | QCCN,LCC32,.45X.55 |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.61 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| DF1B-18DEP-2.5RC | HRS | 5300 | 1.435840 |
| SPS-91T-250S | JST | 4000 | 0.178250 |
| 90HBW02PT | GRAYHILL | 3777 | 19.704506 |
| DF14-6S-1.25C | HRS | 3100 | 0.815100 |
| DF1B-7S-2.5R | HRS | 1000 | 0.392000 |
| DF1B-10DES-2.5RC | HRS | 800 | 2.056320 |
| DF1B-22DES-2.5RC | HRS | 700 | 3.094560 |
| DF22-3S-7.92C(28) | HRS | 700 | 0.954180 |
| DF1B-18DES-2.5RC | HRS | 500 | 2.978080 |
| DF62B-3EP-2.2C | HRS | 300 | 1.403360 |